Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS6H836NT1GON SemiconductorPower Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NT3GonsemiDescription: T8 80V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+80.16 грн
100+55.05 грн
500+41.03 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NT3GonsemiDescription: T8 80V SO8FL
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.16 грн
100+62.37 грн
500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NWFT3GonsemiDescription: T8 80V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+82.72 грн
100+57.14 грн
500+42.65 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NWFT3GonsemiDescription: T8 80V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+58.30 грн
1000+53.75 грн
10000+47.93 грн
100000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 607 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.46 грн
100+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+35.72 грн
422+33.59 грн
500+31.62 грн
1500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.54 грн
22+35.72 грн
100+33.59 грн
500+30.49 грн
1500+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.61 грн
100+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.29 грн
100+57.68 грн
500+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.29 грн
100+57.68 грн
500+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H848NWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GOn SemiconductorMOSFET N-CH 80V 11A/42A 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.40 грн
100+36.65 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.65 грн
3000+22.73 грн
4500+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1GON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.36 грн
3000+25.17 грн
4500+24.09 грн
7500+21.46 грн
10500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.53 грн
100+40.26 грн
500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GOn SemiconductorMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.99 грн
100+48.96 грн
500+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.04 грн
100+52.37 грн
500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NWFT1GON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NWFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.08 грн
100+31.65 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.95 грн
3000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.74 грн
100+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLWFT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET 80V, 32A, 20.7 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL. Wettable Flank
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H858NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.05 грн
100+95.52 грн
500+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.53 грн
3000+28.05 грн
4500+26.86 грн
7500+23.96 грн
10500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 22517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
на замовлення 19273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.57 грн
100+44.46 грн
500+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+75.93 грн
100+52.51 грн
500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V SO8FL
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0269ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.90 грн
500+28.68 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+65.89 грн
100+44.17 грн
500+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.92 грн
13+66.57 грн
100+44.71 грн
500+30.87 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.24 грн
3000+26.20 грн
4500+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.38 грн
100+43.46 грн
500+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1GonsemiMOSFET T8 80V SO8FL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.60 грн
3000+26.20 грн
4500+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.02 грн
3000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single P-Channel
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+82.12 грн
25+69.14 грн
100+51.09 грн
250+44.31 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48.9A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CON SemiconductorDescription: 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.79 грн
10+280.43 грн
100+233.29 грн
500+195.49 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.29 грн
500+195.49 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]