Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2324DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+35.85 грн
100+24.92 грн
500+18.26 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
16+26.33 грн
18+24.32 грн
50+20.63 грн
100+19.37 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 165384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.59 грн
100+18.11 грн
500+16.31 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS
Код товару: 178664
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Id, А: 0,69 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 340/7,7
Монтаж: SMD
у наявності: 78 шт
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.59 грн
100+46.35 грн
500+34.14 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 150V .53A P-CH MOSFET
на замовлення 51975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 48353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.05 грн
100+42.68 грн
500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 26934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
6000+28.36 грн
9000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.25 грн
6000+24.52 грн
9000+24.11 грн
24000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.64 грн
9000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.25 грн
6000+24.52 грн
9000+24.11 грн
24000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.24 грн
6000+28.39 грн
9000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.29 грн
6000+22.64 грн
9000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 34256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.05 грн
100+42.68 грн
500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.29 грн
6000+22.64 грн
9000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.64 грн
9000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 13619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2326DS-T1SI01+ SOT-23
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.73 грн
100+6.18 грн
250+5.67 грн
500+5.36 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.30 грн
6000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DSSI03+ SOT-323-6
на замовлення 21999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS (мікросхеми різні)
Код товару: 40959
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1VISHAY07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2328DS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.72 грн
100+50.08 грн
500+37.07 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.00 грн
6000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-BE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 42AJ0569
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
591+23.94 грн
613+23.08 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.72 грн
42000+20.76 грн
63000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.33 грн
25+30.48 грн
100+26.82 грн
250+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel MOSFET, 100V, 1.15A, SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; Idm: 6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+57.70 грн
50+43.78 грн
100+39.33 грн
500+32.04 грн
1000+28.01 грн
1500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.76 грн
361+39.19 грн
367+38.60 грн
372+36.67 грн
500+33.43 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.13 грн
197+71.94 грн
500+58.61 грн
1000+49.52 грн
1500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3(транзистор)
Код товару: 53967
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2329DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
6000+15.13 грн
9000+14.46 грн
15000+12.87 грн
21000+12.46 грн
30000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
6000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 5V Vgs SOT-23
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.79 грн
12000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
6000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 80711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.38 грн
500+19.76 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
11+39.50 грн
50+28.43 грн
100+24.91 грн
250+21.22 грн
500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI232C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2331DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333BORNP-Channel -12V 7.1A(Tc) 1V @ 250uA 35m? @ 5.1A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2333 SOT23 BORN TSI2333 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333BORNP-Channel -12V 7.1A(Tc) 1V @ 250uA 35m? @ 5.1A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2333 SOT23 BORN TSI2333 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 21290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.63 грн
500+7.44 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]