Продукція > stg

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGP14NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP14NC60KD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
50+79.80 грн
100+71.67 грн
500+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.93 грн
140+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.31 грн
10+113.06 грн
100+101.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.50 грн
50+252.97 грн
100+232.02 грн
500+183.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMIGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 136 W Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMIGBT 420V 30A 150W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMicroelectronicsIGBT Modules 400V INTRN CLMP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD
Код товару: 183916
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 31nC
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
4+136.28 грн
10+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.82 грн
50+132.78 грн
100+120.29 грн
500+92.37 грн
1000+85.78 грн
2000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.28 грн
100+149.22 грн
500+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.00 грн
50+108.93 грн
100+98.35 грн
500+74.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMIGBT 600V 35A 125W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.28 грн
50+165.27 грн
100+149.22 грн
500+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KD
Код товару: 171429
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 54.5 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsIGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.88 грн
10+94.73 грн
25+79.77 грн
50+71.46 грн
100+68.14 грн
200+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 54.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
50+106.84 грн
100+96.39 грн
500+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V Ultra fast PowerMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N Ch 600V 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
50+74.76 грн
100+67.14 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 159W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.24 грн
50+120.82 грн
100+109.91 грн
500+87.60 грн
1000+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.24 грн
118+120.82 грн
129+109.91 грн
500+87.60 грн
1000+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
50+95.74 грн
100+86.25 грн
500+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.79 грн
112+127.31 грн
123+115.46 грн
500+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.47 грн
3+235.16 грн
10+188.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20NC60V - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMIGBT 600V 60A 200W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
50+162.89 грн
100+147.90 грн
500+114.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NT60STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NT60DSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
50+95.23 грн
100+85.77 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
10+108.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+99.46 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20V60F - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.90 грн
10+108.86 грн
20+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF
Код товару: 222059
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 7929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.14 грн
10+140.99 грн
100+125.71 грн
500+101.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
50+110.10 грн
100+99.32 грн
500+75.48 грн
1000+69.78 грн
2000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.14 грн
101+140.99 грн
113+125.71 грн
500+101.13 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.21 грн
10+127.97 грн
50+126.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB транзистор
Код товару: 204542
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H65FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 30A
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.