Продукція > stg

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGP12NB60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A TO-220
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 68 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 210µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5ns/91ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP12NB60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W TO220
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/96ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 54 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP12NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W TO220
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 54 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/96ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14HF60KDSTMicroelectronicsIGBTs 14 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14N60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 95 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD
Код товару: 181150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.22 грн
10+92.63 грн
100+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220   STGP14NC60KD TSTGP14nc60kd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP14NC60KD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
50+63.31 грн
100+56.68 грн
500+42.26 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.52 грн
171+83.02 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mWTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.68 грн
140+101.41 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
50+80.54 грн
100+72.33 грн
500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.81 грн
10+112.81 грн
100+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.02 грн
50+255.31 грн
100+234.16 грн
500+185.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M120F3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMIGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 136 W Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP15M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMicroelectronicsIGBT Modules 400V INTRN CLMP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP18N40LZSTMIGBT 420V 30A 150W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.15 грн
50+128.12 грн
100+115.93 грн
500+88.76 грн
1000+82.33 грн
2000+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
4+137.54 грн
10+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD
Код товару: 183916
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KD
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KD
Код товару: 171429
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.84 грн
10+141.16 грн
50+138.53 грн
100+120.97 грн
500+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.84 грн
101+141.16 грн
103+138.53 грн
113+120.97 грн
500+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60KDSTMIGBT 600V 35A 125W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 130 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 54.5 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.70 грн
10+95.61 грн
25+80.51 грн
50+72.12 грн
100+68.77 грн
200+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 130 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 54.5 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
50+107.83 грн
100+97.28 грн
500+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsIGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V Ultra fast PowerMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N Ch 600V 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
50+75.45 грн
100+67.76 грн
500+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 159W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.78 грн
50+120.55 грн
100+109.67 грн
500+87.40 грн
1000+74.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.78 грн
118+120.55 грн
129+109.67 грн
500+87.40 грн
1000+74.83 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
50+96.63 грн
100+87.05 грн
500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.30 грн
112+127.03 грн
123+115.20 грн
500+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20NC60V - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMIGBT 600V 60A 200W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.11 грн
3+237.34 грн
10+190.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.12 грн
50+164.39 грн
100+149.27 грн
500+115.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NT60STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NT60DSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.34 грн
10+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
50+91.06 грн
100+81.91 грн
500+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20V60F - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 105nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.31 грн
10+109.86 грн
20+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]