Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+66.12 грн
100+44.12 грн
500+32.56 грн
1000+29.71 грн
2000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 59nC
Application: automotive industry
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.86 грн
10+62.06 грн
100+43.19 грн
500+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.82 грн
100+89.80 грн
500+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+118.05 грн
100+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorDescription: DI110N06D2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 60V, 110A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+472.35 грн
2500+356.87 грн
5000+243.16 грн
10000+227.20 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDI114N06PQ
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.93 грн
112+126.73 грн
500+118.81 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Gate charge: 78.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN5x6
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.60 грн
5+96.44 грн
25+84.70 грн
100+77.16 грн
500+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 480A; 78.9W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 78.9W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQ
Код товару: 221460
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 115A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotecMOSFET N-CH 60V 115A 8-POWERTDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotec SemiconductorMOSFETs
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 480A; 50W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 50W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI126N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 126A; Idm: 500A; 52W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 52W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+11.00 грн
500+7.70 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...40
Case: SOT23
Collector current: 0.25A
Mounting: SMD
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.90 грн
23+18.95 грн
100+10.73 грн
500+7.38 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+130.35 грн
50+99.74 грн
100+84.36 грн
500+68.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150SPANJITBridge Rectifiers 50 Volt 1.5 Amp, SDIP Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJitDiode Rectifier Bridge Single 1KV 1.5A 4-Pin SDIP T/R
у наявності 1500 шт:
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI156PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1,5, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+125, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1000+7.39 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156SPanJitДіодний міст SMD, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1,5, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -50...+125, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: SMD-4 (SDIP) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanJitDiode Rectifier Bridge Single 600V 1.5A 4-Pin SDIP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PANJITBridge Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp, SDIP-4 Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 50A; DIP; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Case: DIP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
37+11.41 грн
50+10.23 грн
250+9.14 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanJitDiode Rectifier Bridge Single 800V 1.5A 4-Pin SPDIP SMD T/R
у наявності 1500 шт:
 Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 40V, 160A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A; 83.3W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 83.3W
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 40V, 160A, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A; 83.3W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 83.3W
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 170A
Power dissipation: 135W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 680A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI170SIC850D7DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 9A; 62W; TO263-7
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 62W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.