Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+48.51 грн
100+29.96 грн
500+24.09 грн
1000+21.81 грн
3000+18.98 грн
6000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.22 грн
100+30.26 грн
500+21.95 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.42 грн
20000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+32.23 грн
100+20.83 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.5 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.18 грн
21+38.58 грн
100+24.97 грн
500+17.72 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 12 V, 5.2 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.03 грн
43+18.93 грн
100+13.85 грн
500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.83 грн
50+25.21 грн
100+15.87 грн
500+11.07 грн
1500+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.87 грн
500+11.07 грн
1500+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.00 грн
100+12.00 грн
500+8.42 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 64293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.24 грн
100+11.18 грн
500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 7906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+27.63 грн
100+15.39 грн
500+11.67 грн
3000+10.63 грн
6000+9.66 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.52 грн
500+13.01 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+24.16 грн
100+15.42 грн
500+10.94 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: X2-DFN2015-3
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
16+26.01 грн
100+15.46 грн
500+10.97 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.04 грн
28+28.99 грн
100+18.52 грн
500+13.01 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.75 грн
50+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 34856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+22.07 грн
100+12.15 грн
500+9.11 грн
1000+8.15 грн
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+18.70 грн
100+12.11 грн
500+8.58 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UCA4-7Diodes ZetexDMP1046UCA4-7
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0808-4(Type B) T&R 3K
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
10+32.55 грн
100+17.95 грн
500+11.11 грн
1000+8.22 грн
3000+7.25 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.92 грн
20000+7.05 грн
30000+6.76 грн
50000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 73670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.20 грн
100+14.64 грн
500+11.05 грн
1000+8.97 грн
5000+7.87 грн
10000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 58409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.83 грн
100+15.88 грн
500+11.27 грн
1000+10.10 грн
2000+9.11 грн
5000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.4W
на замовлення 14097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.38 грн
100+15.62 грн
500+11.08 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
14+23.18 грн
100+14.15 грн
500+10.70 грн
1000+9.04 грн
3000+6.14 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.37 грн
29+26.68 грн
30+25.30 грн
100+16.48 грн
250+15.00 грн
500+13.41 грн
1000+9.44 грн
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
6000+7.97 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+39.22 грн
100+23.54 грн
500+18.09 грн
1000+16.43 грн
3000+12.70 грн
9000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.65 грн
500+17.05 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
11+28.64 грн
100+19.57 грн
500+14.47 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.05 грн
24+34.79 грн
100+24.65 грн
500+17.05 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
6000+11.38 грн
9000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.94 грн
20000+6.16 грн
30000+5.89 грн
50000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 32588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.96 грн
100+14.57 грн
500+10.29 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
15+21.91 грн
100+10.63 грн
1000+7.25 грн
3000+6.49 грн
9000+6.28 грн
24000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.63 грн
6000+7.57 грн
9000+7.18 грн
15000+6.34 грн
21000+6.10 грн
30000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.48 грн
100+11.60 грн
500+8.56 грн
1000+7.59 грн
3000+6.28 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.24 грн
10+41.68 грн
100+27.82 грн
500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+52.16 грн
100+34.79 грн
500+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPS-13DiodesMOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13DiodesMOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+39.69 грн
100+22.71 грн
500+19.05 грн
1000+16.71 грн
2500+13.60 грн
5000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+47.04 грн
100+30.83 грн
500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.25 грн
5000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DiodesMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Транзистори
на замовлення 49 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.18 грн
50+43.17 грн
100+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.57 грн
16+53.08 грн
100+34.87 грн
500+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 567500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+47.08 грн
100+26.92 грн
500+20.78 грн
1000+18.85 грн
2500+16.15 грн
5000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.89 грн
100+30.74 грн
500+22.33 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]