Продукція > FCD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD32-4R7MCjiangFCD32-4R7M 4,7 мкГн 4.7uH 20% 0.17Ohm 1.3A SMD 3.5x3mm Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD34-100(4/4/8/8/) 2896AmtekFCD34-100(4/4/8/8/) 2896 шлейф, 34 конт., 0.5mm, lengh 100мм Розніми під надплоський кабель FFC/FPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.12 грн
142+99.69 грн
144+98.67 грн
164+83.55 грн
250+77.14 грн
500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+105.14 грн
100+71.98 грн
500+54.25 грн
1000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.12 грн
10+99.69 грн
25+98.67 грн
100+83.55 грн
250+77.14 грн
500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONN
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 10A; 83W; DPAK; single transistor
Transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: DPAK
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.36Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+148.99 грн
50+114.50 грн
100+97.03 грн
500+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+156.54 грн
100+108.93 грн
500+83.16 грн
1000+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4A14CC
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60onsemi / FairchildMOSFETs SF1 600V 1.2OHM E DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 13006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.28 грн
10+88.49 грн
25+87.60 грн
50+83.63 грн
100+56.70 грн
250+53.89 грн
500+50.79 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiMOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+114.95 грн
50+87.51 грн
100+73.82 грн
500+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.89 грн
5+124.96 грн
10+108.19 грн
50+77.16 грн
100+67.93 грн
250+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.51 грн
500+99.46 грн
1000+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60-F085 - FCD5N60-F085, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET 600 V, 4.6 A, 0.86 O
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemiDescription: FCD5N60_F085 - N-CHANNEL SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: SuperFET®
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.73 грн
5+113.22 грн
10+98.96 грн
25+82.19 грн
100+65.41 грн
500+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.72 грн
10+130.35 грн
25+129.05 грн
100+100.51 грн
250+91.88 грн
500+75.10 грн
1000+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemi / FairchildMOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiMOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.82 грн
100+83.61 грн
500+63.13 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiMOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.82 грн
100+83.61 грн
500+63.13 грн
1000+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.02 грн
5000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.98 грн
10+146.63 грн
25+145.85 грн
100+110.33 грн
250+96.39 грн
500+81.84 грн
1000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.98 грн
97+145.85 грн
124+110.33 грн
250+96.39 грн
500+81.84 грн
1000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 14928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+130.28 грн
100+89.72 грн
500+67.94 грн
1000+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.01 грн
50+91.48 грн
100+77.22 грн
500+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONN
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.76 грн
10+105.43 грн
25+104.94 грн
100+88.86 грн
250+80.00 грн
500+70.41 грн
1000+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.76 грн
135+104.94 грн
154+88.86 грн
250+80.00 грн
500+70.41 грн
1000+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]