Продукція > FQU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N50BTU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60B
на замовлення 70560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CFAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 4.7OHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTLTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60CTUONS/FAIMOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK (TO-251AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N60TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N80TU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90FAIRCHILD2002 TO-251
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUFairchild
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N90TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002onsemi / FairchildMOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemi / FairchildMOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
70+53.40 грн
140+48.50 грн
560+38.27 грн
1050+35.70 грн
2030+33.38 грн
5040+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_AM002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2P40TU
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU30N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU30N06TU
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TU
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50C
Код товару: 128758
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTUonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 21754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TU
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3P20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3P50TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 27877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WSonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4P25TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4P40FAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
17+50.15 грн
100+39.83 грн
500+29.81 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 36535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TU
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50CTU-WSONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUonsemiMOSFETs N-CH/600V/5A/QFET
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TUFairchild
на замовлення 20690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N25TU
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
на замовлення 14242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTU-NBEA001Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40CTU_NBEA001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N40TU
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6N50CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU6P25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N20LTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU7P06TURochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 38115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1042 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]