Продукція > GS6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS60K | BESSEY | Category: Vices and Clamps Description: Clamp; universal; with thumbwheel; Grip capac: max.600mm; D: 120mm Tools application: metalworks Kind of clamping: universal Version: with thumbwheel Depth: 120mm Grip capacity: max. 600mm Type of clamping tool: clamp Manufacturer series: classiX | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS60PRGBWL9Q | Banner Engineering Corporation | Description: GS60 PRO MULTICOLOR GUIDE SPOTLI Packaging: Bulk Features: High/Low/Off Switching Operating Temperature: -40°C ~ 50°C Termination Style: Connector (M12) Voltage - Supply: 12 ~ 30VDC Lens Type: Flat, Clear Approval Agency: cULus Ingress Protection: IP66/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Housing Material: Aluminum (Al) Profile (W x H): 2.36" (60.0mm) Dia Illumination Color: Blue, Green, Red, White | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS60PRGBWL9Q | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Pro Multicolor Guide Spotlight: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: RGBW; 9 Degree Clear Lens; 5-pin M12 Integral QD | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60RL4Q | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Red; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60UV395L8AQ | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light; 60 mm Spot; 12-30 V dc; Adjustable PMW/Strobe and 1-10 V Dimming; IP66/67; Color: Ultraviolet; 8 Degree Clear Lens; 5-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60UV395L8Q | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Ultraviolet (UV) 395 nm; 8 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60WL4AQ | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; Adjustable PWM/Strobe and 1-10 V Dimming; IP66/67; Color: White; 4 Degree Clear Lens; 5-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60WL4Q | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: White; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS60YL4Q | Banner Engineering | Task Lighting GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Yellow; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-B | GaN Systems Inc | GS61004B-B | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61004B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 45A E-Mode GaN | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-EVBCD | GaN Systems | Other Development Tools Class D Full-Bridge GS61004B GaN E-mode evaluation board | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | Description: GS61004B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61004B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | Description: GS61004B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61004B-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61004B-TR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | Infineon Technologies | GS61004BTRXUMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P -EVBBK | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS61008P Synchronous Buck Demo Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-B | GaN Systems Inc | GS61008P-B | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-E05-MR Код товару: 147920
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| GS61008P-E05-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 80A E-Mode GaN | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-EVBHF | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 100V, 7 mOhm, GaN High Power Half Bridge Evaluation Board | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-EVBHF | GaN Systems Inc | 100V GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Kit | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | Description: GS61008P-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | Description: GS61008P-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-MR | --- | MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 4488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-TR | --- | MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008P-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008P-TR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008PMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008PMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008PTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008PTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008PTRXUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008T-E01-MR | GaN Systems | MOSFET No longer available. Order GS61008T-MR, discount on ship and debit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-MR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-MR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-TR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008T-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008T-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS61008T-MR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS61008T-MR Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS61008TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6103B2A | N/A | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| GS6140-INE3 | Semtech | Description: 6G/3G/HD/SD/ASI LONG REACH EQUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6140-INE3 | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6140-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC REDRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6140-INTE3 | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6140-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC REDRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6140-INTE3Z | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INE3 | Semtech | Video ICs QFN 48L/0.4 6mmX6mm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech | Video ICs QFN-48 Pin Taped (250/reel) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INTE3Z | Semtech | Video ICs QFN-48 Pin Taped (2500/reel) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6150-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech | CDR 1.8V 32-Pin QFN EP Tray | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 353 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN Control Interface: GPIO, SPI Part Status: Active Supplier Device Package: 32-QFN (4x4) Standards: SMPTE Applications: Professional Video Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Function: Reclocker Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Reclocker Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 32-QFN (4x4) Part Status: Active Control Interface: GPIO, SPI | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6151-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6151-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN Control Interface: GPIO, SPI Supplier Device Package: 48-QFN (6x6) Standards: DVB-ASI, MADI, SMPTE Applications: Professional Video Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Function: Reclocker Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6152-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| GS6203H | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6250-120 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 12IN LG | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6250-180 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 18IN LG | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6250-240 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 24IN LG | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6250-360 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 36IN LG | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| GS6250-480 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 48IN LG | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

