Продукція > HP8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.22 грн
217+65.25 грн
255+55.54 грн
500+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.93 грн
10+85.73 грн
100+51.14 грн
500+43.34 грн
1000+36.16 грн
2500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.75 грн
10+95.92 грн
100+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.70 грн
10+107.37 грн
100+64.10 грн
500+51.00 грн
1000+46.89 грн
2500+45.91 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
100+69.90 грн
500+52.42 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.75 грн
115+123.52 грн
200+112.21 грн
500+83.29 грн
1000+71.90 грн
2000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.54 грн
10+161.05 грн
100+98.24 грн
500+85.70 грн
1000+82.21 грн
2500+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.31 грн
100+150.28 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+162.58 грн
100+113.51 грн
500+86.86 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.18 грн
10+182.08 грн
100+127.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+266.84 грн
74+192.35 грн
100+181.04 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHMDescription: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.22 грн
10+241.41 грн
100+162.57 грн
500+123.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHMDescription: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.57 грн
500+123.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+170.66 грн
100+109.39 грн
500+97.54 грн
1000+95.45 грн
2500+80.82 грн
5000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.46 грн
10+167.45 грн
100+134.93 грн
500+102.65 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.22 грн
10+131.40 грн
100+86.39 грн
500+73.85 грн
1000+70.37 грн
2500+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+257.41 грн
100+180.09 грн
200+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.93 грн
500+102.65 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+133.14 грн
100+92.26 грн
500+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+137.60 грн
100+95.16 грн
500+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.97 грн
10+136.21 грн
100+82.21 грн
500+68.91 грн
1000+64.10 грн
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+95.18 грн
100+73.15 грн
500+58.10 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.89 грн
149+95.18 грн
250+89.91 грн
500+74.94 грн
1000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.80 грн
10+88.14 грн
100+63.54 грн
500+54.83 грн
1000+53.30 грн
2500+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.12 грн
133+107.10 грн
250+102.80 грн
500+95.56 грн
1000+85.59 грн
2500+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.66 грн
136+104.66 грн
200+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.12 грн
10+92.94 грн
100+54.55 грн
500+43.34 грн
1000+39.64 грн
2500+37.21 грн
5000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.63 грн
10+98.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+87.71 грн
100+59.21 грн
500+44.11 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.64 грн
130+109.38 грн
200+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.49 грн
10+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.12 грн
10+92.94 грн
100+54.55 грн
500+43.34 грн
1000+39.64 грн
2500+37.21 грн
5000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+87.71 грн
100+59.21 грн
500+44.11 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+158.94 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 10423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.00 грн
10+87.33 грн
100+51.28 грн
500+40.76 грн
1000+37.48 грн
2500+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.04 грн
250+73.83 грн
500+62.76 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.12 грн
10+94.29 грн
100+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.23 грн
100+59.55 грн
500+44.37 грн
1000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 29W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+204.21 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 29W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TB
Код товару: 174887
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2