Продукція > HUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF75329P3onsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3STonsemi / FairchildMOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P2FSC
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Power dissipation: 145W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+221.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3
Код товару: 144977
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75332P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3onsemiMOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SHARRISHUF75332S3S
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75332S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STFAIRCHILDHUF75332S3ST
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
1000+89.38 грн
10000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STonsemi / FairchildMOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STHARRISHUF75332S3ST
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
1000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 139017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3
Код товару: 189444
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_NS2552Fairchild SemiconductorDescription: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337P3ONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+108.55 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339PFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONS/FAITO220, 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3onsemiMOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.23 грн
10+85.81 грн
100+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.83 грн
10+116.10 грн
50+88.77 грн
100+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Power dissipation: 200W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
5+89.56 грн
10+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3S_TR4935Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343G3HARRISHUF75343G3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3onsemi / FairchildMOSFET 75A 55V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Harris CorporationDescription: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3FAIRCHILDHUF75343S3
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3HARRISHUF75343S3
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Sonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3_NLFAIRCHILDHUF75343S3_NL
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344A3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344A3FAIRCHILDHUF75344A3
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344A3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344A3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.26 грн
5+198.83 грн
13+188.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.66 грн
30+177.30 грн
60+160.59 грн
120+137.51 грн
510+116.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 285W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3
Код товару: 59800
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 20 шт - склад
1+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3onsemiMOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.98 грн
30+196.07 грн
60+194.91 грн
120+177.74 грн
510+159.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.35 грн
72+197.25 грн
120+179.87 грн
510+160.91 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3ON-SemiconductorN-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+181.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.