Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF75329D3SFAIRCHILDHUF75329D3S
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.79 грн
10+71.71 грн
100+47.97 грн
500+35.45 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 128W; TO252AA
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 26mΩ
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 128W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STS2559INTERSILTO-252
на замовлення 19990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329P3onsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329S3STonsemi / FairchildMOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P2FSC
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75332P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3
Код товару: 144977
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 16mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 145W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3onsemi / FairchildMOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SHARRISHUF75332S3S
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+60.72 грн
518+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3SHARRISHUF75332S3S
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+60.72 грн
518+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STINTERSILSOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STHARRISHUF75332S3ST
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STonsemi / FairchildMOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75332S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3STFairchild SemiconductorHUF75332S3ST
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
10000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75332S3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3
Код товару: 189444
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 139017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3FSC06+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_NS2552Fairchild SemiconductorDescription: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333P3_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337P3ONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75337S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+109.54 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339G3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339PFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3onsemiMOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 200W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
5+109.44 грн
10+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.88 грн
50+86.69 грн
100+78.05 грн
500+59.01 грн
1000+54.44 грн
2000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONS/FAITO220, 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.03 грн
10+85.62 грн
100+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
на замовлення 14025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.18 грн
10+81.97 грн
100+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339S3S_TR4935Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343G3HARRISHUF75343G3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3onsemi / FairchildMOSFET 75A 55V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.56 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3HARRISHUF75343S3
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Harris CorporationDescription: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.56 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3FAIRCHILDHUF75343S3
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3Sonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75343S3_NLFAIRCHILDHUF75343S3_NL
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]