Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 Код товару: 202347
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N03LF2SAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 125A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 On-state resistance: 2.05mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06N Infineon Technologie Код товару: 212141
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 268 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N | Infineon | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N06NXKSA1 | Infineon Technologies | IPP020N06NXKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP020N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP020N08N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP020N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP022N12NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V | на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP022N12NM6AKSA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP022N12NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NG | infineon | 08+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 Packaging: Tube Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N08N5 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP023N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5 | Infineon | на замовлення 21500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 Код товару: 215527
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Транзистори | на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 56230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP023N10N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

