Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+363.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.71 грн
184+77.04 грн
194+73.24 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1
Код товару: 202347
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.04 грн
100+73.24 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.37 грн
10+196.54 грн
25+136.05 грн
100+123.30 грн
250+113.49 грн
500+99.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+176.77 грн
50+136.90 грн
100+116.42 грн
500+95.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.55 грн
2000+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.98 грн
50+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.40 грн
118+120.22 грн
119+119.04 грн
1000+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.37 грн
72+196.54 грн
104+136.05 грн
111+123.30 грн
250+113.49 грн
500+99.77 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.26 грн
50+87.86 грн
100+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 136W
Gate charge: 69nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
10+69.61 грн
50+57.03 грн
100+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06N Infineon Technologie
Код товару: 212141
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.47 грн
50+319.64 грн
100+181.04 грн
200+161.84 грн
500+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1InfineonIPP020N06NAKSA1 IPP020N06N MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.39 грн
50+88.51 грн
100+74.64 грн
500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+149.39 грн
100+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.39 грн
50+88.51 грн
100+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesIPP020N06NXKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
500+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+452.63 грн
40+359.47 грн
52+273.17 грн
500+262.50 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.39 грн
10+104.38 грн
25+100.14 грн
500+96.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.73 грн
54+263.07 грн
100+261.18 грн
500+250.04 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.02 грн
10+280.63 грн
50+221.42 грн
100+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+276.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.82 грн
10+255.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP020N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP022N12NM6AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP022N12NM6AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP022N12NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 203 A, 0.0022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.12 грн
50+215.37 грн
100+197.13 грн
500+156.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+65.82 грн
100+51.27 грн
500+39.17 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.90 грн
81+175.62 грн
100+163.83 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.35 грн
79+180.45 грн
100+141.60 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.99 грн
10+180.14 грн
100+141.36 грн
500+106.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 169000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+104.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.80 грн
10+287.68 грн
100+262.55 грн
500+222.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+198.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+494.45 грн
51+280.37 грн
100+257.55 грн
500+207.66 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.42 грн
10+247.95 грн
50+194.60 грн
100+166.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+198.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.86 грн
10+289.68 грн
100+266.11 грн
500+214.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+210.79 грн
1000+197.00 грн
2000+186.77 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.65 грн
50+140.05 грн
100+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+537.61 грн
50+286.51 грн
100+261.49 грн
500+221.49 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.