Продукція > ISC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISC009N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6Infineon TechnologiesISC010N04NM6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.17 грн
82+174.26 грн
100+168.35 грн
250+157.41 грн
500+141.78 грн
1000+132.78 грн
2500+129.86 грн
5000+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 14134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.16 грн
100+75.36 грн
500+56.75 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.34 грн
500+84.51 грн
1000+69.72 грн
5000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.13 грн
10000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.67 грн
10+161.88 грн
100+110.34 грн
500+84.51 грн
1000+69.72 грн
5000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+59.30 грн
1000+53.57 грн
2500+51.50 грн
5000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.85 грн
10+248.87 грн
100+177.19 грн
500+157.05 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.96 грн
10+208.51 грн
100+148.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+220.70 грн
100+136.69 грн
500+136.00 грн
1000+131.16 грн
5000+109.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.19 грн
500+157.05 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+43.68 грн
100+35.82 грн
500+32.51 грн
1000+30.30 грн
2000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.98 грн
10+103.86 грн
25+101.32 грн
100+79.95 грн
250+72.71 грн
500+60.56 грн
1000+45.47 грн
3000+44.52 грн
6000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
10+35.57 грн
100+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.58 грн
27+30.20 грн
100+29.72 грн
500+26.92 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.34 грн
110+128.92 грн
135+105.55 грн
200+95.15 грн
500+80.26 грн
1000+57.11 грн
2000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.86 грн
140+101.32 грн
171+82.91 грн
250+78.52 грн
500+63.09 грн
1000+45.47 грн
3000+44.52 грн
6000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.72 грн
500+26.92 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.79 грн
100+62.34 грн
500+49.36 грн
1000+44.46 грн
2500+43.77 грн
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.30 грн
100+66.13 грн
500+49.54 грн
1000+45.51 грн
2000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.01 грн
250+170.74 грн
1000+141.35 грн
3000+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+214.35 грн
100+132.55 грн
500+123.57 грн
1000+116.67 грн
2500+113.22 грн
5000+104.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+355.18 грн
50+240.01 грн
250+170.74 грн
1000+141.35 грн
3000+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
10+212.92 грн
100+151.20 грн
500+124.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+47.12 грн
25+42.54 грн
100+35.16 грн
250+32.90 грн
500+31.53 грн
1000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.25 грн
500+36.50 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.36 грн
15+56.14 грн
100+43.25 грн
500+36.50 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1Infineon Technologies TRENCH <= 40V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+91.30 грн
100+52.47 грн
500+41.63 грн
1000+37.00 грн
2500+33.76 грн
5000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
500+77.78 грн
1000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1InfineonN-Channel 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.65 грн
10+141.75 грн
100+99.87 грн
500+77.78 грн
1000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.97 грн
10+115.98 грн
100+83.76 грн
500+62.30 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+107.97 грн
100+65.86 грн
500+51.29 грн
1000+47.01 грн
2500+46.94 грн
5000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1InfineonN-Channel 40 V 36A (Ta), 232A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.40 грн
108+132.30 грн
124+114.34 грн
500+90.49 грн
2000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.45 грн
100+71.95 грн
500+54.08 грн
1000+49.75 грн
2000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+62.30 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.69 грн
10000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.92 грн
15+55.17 грн
100+43.65 грн
500+36.35 грн
1000+30.51 грн
5000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1Infineon Technologies TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+55.97 грн
100+37.90 грн
500+32.10 грн
1000+26.16 грн
2500+24.65 грн
5000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+44.87 грн
25+40.50 грн
100+33.42 грн
250+31.23 грн
500+29.92 грн
1000+28.36 грн
2500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.65 грн
500+36.35 грн
1000+30.51 грн
5000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.31 грн
500+39.94 грн
1000+33.76 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.41 грн
10000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+124.03 грн
145+97.93 грн
156+91.08 грн
200+86.00 грн
1000+79.52 грн
2000+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 206A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
11+79.49 грн
100+58.31 грн
500+39.94 грн
1000+33.76 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+88.12 грн
100+53.64 грн
500+42.59 грн
1000+37.14 грн
2500+36.59 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 11600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+85.03 грн
100+57.40 грн
500+42.75 грн
1000+39.17 грн
2000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+146.87 грн
100+87.67 грн
500+73.87 грн
1000+68.27 грн
2500+63.51 грн
5000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.90 грн
10+234.46 грн
100+165.94 грн
500+128.28 грн
1000+119.46 грн
2000+115.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 1550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.68 грн
500+179.49 грн
1000+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 1550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.16 грн
10+310.88 грн
100+220.68 грн
500+179.49 грн
1000+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.59 грн
10+177.04 грн
25+151.18 грн
100+123.57 грн
250+122.88 грн
500+108.38 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+57.32 грн
100+38.80 грн
500+31.55 грн
1000+26.79 грн
2500+25.20 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.36 грн
100+43.62 грн
500+32.18 грн
1000+29.37 грн
2000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N08NM8ATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 29A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N08NM8ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+207.21 грн
100+140.83 грн
500+117.36 грн
1000+109.07 грн
2500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 29A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC016N08NM8SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+88.92 грн
100+54.54 грн
500+43.28 грн
1000+37.97 грн
2500+37.35 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.45 грн
100+58.36 грн
500+43.48 грн
1000+39.86 грн
2000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]