Продукція > NTJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.96 грн
58+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.13 грн
100+10.79 грн
500+7.54 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
19+16.99 грн
100+9.20 грн
500+7.32 грн
1000+6.06 грн
3000+5.02 грн
6000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.54 грн
803+17.61 грн
812+17.43 грн
930+14.67 грн
1461+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2ON2005
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
9000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
20+16.67 грн
100+9.20 грн
500+6.90 грн
1000+6.06 грн
3000+5.02 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.30 грн
1000+6.76 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
14+22.04 грн
100+13.22 грн
500+11.49 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
9000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.96 грн
49+16.91 грн
100+10.73 грн
500+7.62 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1
на замовлення 14484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.71 грн
43+19.18 грн
100+11.95 грн
500+7.62 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 59839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.36 грн
100+10.90 грн
500+7.62 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.41 грн
500+8.23 грн
1000+5.68 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiMOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.07 грн
12+28.44 грн
100+13.80 грн
1000+9.41 грн
3000+8.22 грн
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
6000+7.80 грн
9000+7.01 грн
15000+6.34 грн
21000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiMOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.24 грн
14+23.80 грн
100+10.73 грн
1000+8.08 грн
3000+6.97 грн
9000+6.62 грн
24000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 272mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.55 грн
100+15.00 грн
500+10.59 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiMOSFETs PFET 20V .88A 1OHM
на замовлення 11283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
22+15.14 грн
100+10.45 грн
500+8.36 грн
1000+6.83 грн
3000+5.78 грн
6000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.31 грн
58+14.06 грн
100+10.73 грн
500+7.85 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GOn SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.73 грн
500+7.85 грн
1500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
100+11.52 грн
500+8.07 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2G
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401ON-Semiconductor2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
70+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401Nonsemionsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 245251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.62 грн
100+12.39 грн
500+8.69 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiMOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.51 грн
14+23.40 грн
100+9.13 грн
1000+6.83 грн
3000+5.99 грн
9000+5.43 грн
24000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.84 грн
41+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.10 грн
6000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.77 грн
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.46A
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
18+23.31 грн
22+19.12 грн
100+8.97 грн
500+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD440NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4538NT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.17 грн
56+14.55 грн
68+12.03 грн
100+8.83 грн
250+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.72 грн
60000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 9434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.18 грн
72+10.54 грн
73+10.43 грн
131+5.57 грн
250+5.12 грн
500+4.86 грн
1000+4.42 грн
3000+3.10 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 184728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.85 грн
100+7.38 грн
500+5.10 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 171134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.59 грн
28+11.78 грн
100+6.41 грн
500+5.36 грн
1000+4.88 грн
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
38+11.07 грн
47+8.99 грн
55+7.65 грн
100+6.52 грн
250+5.36 грн
500+4.67 грн
1000+4.11 грн
3000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.59 грн
69+11.95 грн
109+7.48 грн
500+5.78 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.34 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 9434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2447+5.78 грн
2468+5.73 грн
2496+5.67 грн
2743+4.97 грн
3876+3.26 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 2447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G
Код товару: 185670
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 20114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.62 грн
23+14.42 грн
100+6.48 грн
1000+5.92 грн
3000+4.60 грн
9000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5555+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 5555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.15 грн
100+10.17 грн
500+7.11 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5650+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 5650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.28 грн
500+12.68 грн
1500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.06 грн
13+26.68 грн
100+14.77 грн
500+11.22 грн
1000+10.03 грн
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]