Продукція > NTL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.82 грн
6000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.89 грн
500+25.46 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBG
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.28 грн
6000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.74 грн
50+24.65 грн
100+20.39 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 9134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAG
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
6000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+39.10 грн
100+27.23 грн
500+19.95 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
100+23.17 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.55 грн
100+28.50 грн
500+20.67 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 74138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGOn SemiconductorMOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.76 грн
100+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 44238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GOn SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN Транзистори
на замовлення 18144 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.60 грн
250+14.07 грн
500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 298123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 25707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.82 грн
6000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 20.2A; Idm: 81A; 2.4W; WDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20.2A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+47.40 грн
100+35.94 грн
500+27.91 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.27 грн
100+38.58 грн
500+28.28 грн
1000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
на замовлення 67883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 1.92W
Gate charge: 8.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFETs T8 30V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZonsemiArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.