Продукція > NTL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTLJD3181PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3181PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.82 грн
6000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.37 грн
10+44.31 грн
100+28.22 грн
500+24.32 грн
1000+21.46 грн
3000+19.93 грн
6000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.89 грн
500+25.46 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBG
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.81 грн
25+33.33 грн
100+21.54 грн
500+15.25 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.3W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 9134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.31 грн
10+35.17 грн
100+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 17917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.13 грн
500+15.12 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.98 грн
500+16.98 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAG
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.19 грн
10+40.38 грн
100+23.97 грн
500+19.02 грн
1000+15.75 грн
3000+13.10 грн
9000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
6000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.19 грн
24+35.11 грн
100+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+39.10 грн
100+27.23 грн
500+19.95 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON Semiconductor
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.62 грн
10+35.01 грн
100+21.18 грн
500+16.51 грн
1000+13.45 грн
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
100+23.17 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+52.56 грн
100+30.80 грн
500+24.73 грн
1000+22.02 грн
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTAGON Semiconductor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.55 грн
100+28.50 грн
500+20.67 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 74138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGOn SemiconductorMOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.51 грн
10+46.63 грн
100+26.55 грн
500+21.81 грн
1000+19.16 грн
3000+16.93 грн
6000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.00 грн
100+28.72 грн
500+20.78 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.60 грн
250+14.07 грн
500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 298123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GOn SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN Транзистори
на замовлення 18144 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GONWDFN-6
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 44238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 25707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.82 грн
6000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.54 грн
10+64.58 грн
100+37.83 грн
500+26.55 грн
1000+23.83 грн
3000+21.60 грн
6000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+47.40 грн
100+35.94 грн
500+27.91 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 20.2A; Idm: 81A; 2.4W; WDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20.2A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.27 грн
100+38.58 грн
500+28.28 грн
1000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.31 грн
10+61.29 грн
100+36.37 грн
500+30.38 грн
1000+25.85 грн
3000+23.48 грн
6000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
на замовлення 67883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+42.14 грн
100+25.36 грн
500+21.18 грн
1000+18.05 грн
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFETs T8 30V
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.49 грн
10+80.92 грн
100+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]