Продукція > PJQ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJQ4407P_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.18 грн
500+15.19 грн
1000+13.68 грн
2000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P-R2-00001PanjitMOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4408P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.72 грн
100+19.80 грн
500+14.16 грн
1000+12.74 грн
2000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4409P-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4409P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4409P_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4410P-R2-00001PanjitMOSFETs DFN3333 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4410P_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4410P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.81 грн
100+19.12 грн
500+13.61 грн
1000+12.21 грн
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4410P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4411P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4411P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.46 грн
100+29.01 грн
500+20.99 грн
1000+18.98 грн
2000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4413P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4414P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.87 грн
100+14.56 грн
500+10.30 грн
1000+9.22 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4414P_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4414P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4416EP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4416EP_R2_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4416EP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4431EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4431EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.25 грн
500+26.46 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4431EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.31 грн
100+31.65 грн
500+22.97 грн
1000+20.81 грн
2000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP-R2-00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP_R2_00201PanjitMOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU-R2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU-R2-002APanjitMOSFETs DFN33 3 3PCH AN30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: 25V
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-R2-00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -138A
Drain current: -41A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 13.5W
Gate-source voltage: ±25V
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201PanjitMOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.97 грн
100+27.42 грн
500+19.87 грн
1000+17.99 грн
2000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.83 грн
100+23.87 грн
500+17.14 грн
1000+15.45 грн
2000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; DFN3333-8
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Polarisation: unipolar
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Pulsed drain current: -123A
Drain current: -38A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 15.4mΩ
Power dissipation: 13.5W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.30 грн
100+20.79 грн
500+14.85 грн
1000+13.35 грн
2000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.42 грн
100+24.89 грн
500+17.89 грн
1000+16.12 грн
2000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP_R2_00201PanjitMOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P_R2_00001PanjitMOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4441P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.98 грн
100+26.64 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4442P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.61 грн
100+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.34 грн
100+30.27 грн
500+21.93 грн
1000+19.85 грн
2000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4444P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+49.14 грн
100+38.20 грн
500+30.39 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4444P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4444P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4444P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.34 грн
100+27.67 грн
500+20.05 грн
1000+18.14 грн
2000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4444P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; DFN3333-8
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+50.80 грн
100+35.20 грн
500+27.59 грн
1000+23.48 грн
2000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4446P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+34.95 грн
100+24.29 грн
500+17.79 грн
1000+14.46 грн
2000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.14 грн
500+15.91 грн
1000+14.34 грн
2000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.95 грн
100+19.97 грн
500+14.29 грн
1000+12.86 грн
2000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4448P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4451EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.25 грн
500+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4451EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4451EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4453EP-AU-R2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4453EP-AU-R2-002APanjit DFN33 3 3PCH AN40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4453EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4453EP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4453EP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4455P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -43 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4455P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4455P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.33 грн
100+36.45 грн
500+26.60 грн
1000+24.16 грн
2000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44605AP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; DFN3333-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44605AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+53.21 грн
50+39.43 грн
100+32.82 грн
500+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44605AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44605AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44607AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44607AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44607AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]