Продукція > SH8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.32 грн
159+89.15 грн
250+85.58 грн
500+79.54 грн
1000+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.55 грн
85+166.89 грн
100+163.12 грн
200+111.83 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+143.26 грн
100+99.24 грн
500+75.47 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.94 грн
107+132.72 грн
250+127.40 грн
500+118.42 грн
1000+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.18 грн
86+166.21 грн
117+120.97 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.77 грн
110+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.71 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.73 грн
100+143.04 грн
250+137.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+135.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.54 грн
50+107.80 грн
100+91.26 грн
500+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.62 грн
250+129.37 грн
1000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.70 грн
100+143.96 грн
250+138.19 грн
500+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1RohmMOSFET PCH+PCH-60V DUAL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+167.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+137.75 грн
100+95.28 грн
500+72.40 грн
1000+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+137.52 грн
100+95.03 грн
500+72.14 грн
1000+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.90 грн
100+173.49 грн
200+157.46 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+285.53 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K10SGZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V NCH / NCH+SBD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K10SGZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.23 грн
520+27.21 грн
1000+26.33 грн
2500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+23.50 грн
625+22.65 грн
1000+21.91 грн
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K13GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+27.19 грн
540+26.21 грн
1000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K13TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K14GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.72 грн
465+30.45 грн
500+29.34 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K14TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15GZETBROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.11 грн
500+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.2A; Idm: 8A; 3W; SOP8; ESD
Transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 112mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.19 грн
367+38.57 грн
500+37.18 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+81.82 грн
100+63.79 грн
500+49.46 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD
Transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
10+34.42 грн
100+23.82 грн
500+18.68 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.19 грн
306+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+115.03 грн
200+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.27 грн
277+51.13 грн
500+49.29 грн
1000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+89.29 грн
100+69.63 грн
500+53.98 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.27 грн
277+51.13 грн
500+49.29 грн
1000+45.98 грн
2500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]