Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.38 грн
10+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+127.02 грн
100+75.25 грн
500+64.13 грн
1000+54.40 грн
2000+53.23 грн
5000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 8.4A; Idm: 33.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 33.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
50+81.35 грн
100+73.07 грн
500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.63 грн
10+190.88 грн
100+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.33 грн
10+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.08 грн
50+111.64 грн
100+100.77 грн
500+79.04 грн
1000+67.26 грн
2000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 400V to 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.56 грн
128+111.36 грн
142+100.51 грн
500+78.84 грн
1000+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+146.87 грн
100+113.91 грн
500+95.27 грн
1000+87.67 грн
2000+82.15 грн
5000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
50+136.59 грн
100+123.80 грн
500+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.47 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.43 грн
10+235.18 грн
100+187.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.78 грн
10+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
50+117.48 грн
100+106.31 грн
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.71 грн
10+235.98 грн
100+162.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+133.37 грн
100+102.17 грн
500+85.60 грн
1000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK60Z(045Y)STMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK60Z(1233)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.71 грн
2000+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.23 грн
10+126.45 грн
100+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTN-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N
Код товару: 53892
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 650 V
Струм стоку Idd, A: 10 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 540/19
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+155.60 грн
100+120.81 грн
500+103.55 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.45 грн
50+146.46 грн
100+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.05 грн
2000+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.36 грн
5+169.52 грн
10+136.28 грн
25+102.21 грн
50+87.25 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+90.50 грн
100+70.41 грн
1000+69.72 грн
2000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 10A STripFET VI
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+116.78 грн
100+78.77 грн
500+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 5.1 mOhm 45A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.96 грн
10+203.09 грн
100+160.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.68 грн
10+102.37 грн
100+76.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMMOSFET N-CH 500V 8A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+78.52 грн
100+61.16 грн
500+48.81 грн
1000+47.84 грн
2000+46.81 грн
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.24 грн
10+86.42 грн
30+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
11+76.35 грн
100+74.50 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
50+73.29 грн
100+65.79 грн
500+49.39 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2
Код товару: 177726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+96.92 грн
100+65.83 грн
500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+103.21 грн
100+60.54 грн
500+48.67 грн
1000+43.70 грн
2000+39.76 грн
5000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+119.08 грн
100+69.72 грн
500+59.37 грн
1000+50.26 грн
2000+48.81 грн
5000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.5nC
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+113.53 грн
100+75.25 грн
500+60.54 грн
1000+54.54 грн
2000+50.67 грн
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.84 грн
105+135.14 грн
108+132.30 грн
200+110.26 грн
500+100.41 грн
1000+67.88 грн
2000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.92 грн
10+98.05 грн
25+88.08 грн
50+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+124.03 грн
100+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N80
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+124.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+144.49 грн
100+100.10 грн
500+89.05 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60N
Код товару: 131353
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.04 грн
10+180.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+108.76 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
50+176.36 грн
100+160.77 грн
500+125.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMN-CH 600V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.03 грн
10+202.44 грн
100+151.88 грн
500+133.24 грн
1000+129.78 грн
2000+128.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]