Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF10N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 13.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 8.4A; Idm: 33.6A; 30W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 33.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N62K3
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 42nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.25 грн
10+85.54 грн
50+72.12 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 400V to 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.11 грн
128+111.11 грн
142+100.29 грн
500+78.67 грн
1000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.49 грн
10+111.10 грн
50+84.46 грн
100+71.21 грн
500+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.63 грн
50+111.39 грн
100+100.54 грн
500+78.87 грн
1000+67.11 грн
2000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N65K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
50+137.85 грн
100+124.95 грн
500+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.47 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
50+118.56 грн
100+107.29 грн
500+82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.92 грн
10+137.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK60Z(045Y)STMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NK60Z(1233)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.69 грн
5+171.08 грн
10+137.54 грн
25+103.15 грн
50+88.06 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.01 грн
2000+124.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+193.38 грн
50+150.19 грн
100+127.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTN-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60N
Код товару: 53892
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 540/19
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.68 грн
2000+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF10P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-CH 60V 0.13Ohm 10A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.43 грн
10+202.64 грн
100+160.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 5.1 mOhm 45A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMMOSFET N-CH 500V 8A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.41 грн
10+102.14 грн
100+76.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2
Код товару: 177726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.42 грн
50+80.78 грн
100+68.05 грн
500+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
10+87.22 грн
30+72.96 грн
50+67.93 грн
100+62.06 грн
500+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.86 грн
50+75.63 грн
100+63.64 грн
500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 12.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.40 грн
10+125.58 грн
100+113.33 грн
500+90.30 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.40 грн
113+125.58 грн
125+113.33 грн
500+90.30 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.06 грн
10+130.85 грн
100+116.96 грн
500+91.77 грн
1000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.50 грн
10+98.96 грн
25+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.82 грн
108+131.25 грн
121+117.32 грн
500+92.05 грн
1000+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+119.48 грн
50+91.06 грн
100+76.85 грн
500+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N80
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 34A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
50+136.71 грн
100+123.82 грн
500+95.03 грн
1000+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60N
Код товару: 131353
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMN-CH 600V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]