Продукція > TK0

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK068N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK068Z65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650 V 0.068 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 7POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Positions Per Level: 7
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2090 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK073N60Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.10 грн
10+611.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK073U60Z5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073U60Z5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+316.52 грн
500+243.06 грн
1000+220.22 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK073U60Z5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073U60Z5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+733.72 грн
10+493.71 грн
100+316.52 грн
500+243.06 грн
1000+220.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.36 грн
5+468.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90AToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 8
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK080A60Z1,S4XToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.27 грн
10+275.48 грн
120+227.81 грн
510+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK080N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.59 грн
10+459.88 грн
100+295.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshibaMOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.35 грн
10+229.43 грн
100+142.21 грн
500+135.31 грн
2000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+124.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
10+215.84 грн
100+153.88 грн
500+137.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080Z60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK080Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.79 грн
5+640.29 грн
10+555.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK085TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 6m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 6m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+945.89 грн
5+780.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2090 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.94 грн
10+229.43 грн
100+190.53 грн
500+164.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.11 грн
10+472.77 грн
100+303.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
10+343.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+296.92 грн
50+216.08 грн
100+194.68 грн
250+184.32 грн
500+175.35 грн
1000+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.74 грн
10+326.99 грн
100+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFETs 230W 1MHz TO-247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.98 грн
10+315.97 грн
30+274.76 грн
100+231.26 грн
500+218.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.60 грн
10+311.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+199.58 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.31 грн
10+239.76 грн
2000+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.58 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.90 грн
10+285.69 грн
100+206.37 грн
500+161.83 грн
1000+161.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.26 грн
10+242.42 грн
100+237.59 грн
500+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.06 грн
46+312.06 грн
50+300.16 грн
100+279.63 грн
250+251.06 грн
500+234.45 грн
1000+228.72 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.50 грн
36+400.44 грн
50+304.76 грн
100+292.74 грн
200+255.23 грн
500+215.66 грн
1000+209.59 грн
2000+201.49 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.59 грн
500+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZRQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.03 грн
25+246.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.23 грн
5+384.17 грн
10+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+789.04 грн
25+717.73 грн
50+668.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+817.70 грн
20+741.50 грн
25+636.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65ZS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.72 грн
30+273.20 грн
120+228.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.64 грн
10+351.69 грн
120+256.81 грн
510+245.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK095N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.095 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.84 грн
5+564.58 грн
10+490.49 грн
50+385.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.86 грн
10+305.58 грн
100+227.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+192.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.48 грн
10+346.14 грн
100+218.84 грн
500+209.17 грн
1000+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095V65Z5,LQToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET DFN 8 x 8 DTMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095V65Z5LQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095Z65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.42 грн
10+265.16 грн
120+158.78 грн
510+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.94 грн
30+184.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.85 грн
10+426.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.34 грн
10+187.04 грн
100+132.29 грн
500+114.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+199.27 грн
100+122.19 грн
500+112.53 грн
2000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.90 грн
10+298.03 грн
100+241.15 грн
500+201.16 грн
1000+172.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaMOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.43 грн
10+340.58 грн
100+223.67 грн
500+222.98 грн
1000+209.17 грн
2500+190.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+492.82 грн
32+443.30 грн
100+341.63 грн
250+313.20 грн
500+266.57 грн
1000+222.99 грн
3000+212.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+345.52 грн
100+260.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+454.24 грн
37+384.35 грн
50+292.79 грн
100+281.17 грн
200+245.28 грн
500+207.58 грн
1000+202.42 грн
2500+194.16 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.43 грн
10+345.52 грн
100+260.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.54 грн
51+281.39 грн
100+271.85 грн
250+254.18 грн
500+228.96 грн
1000+214.42 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK099Z60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.56 грн
10+557.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90AToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]