Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.33 грн
144+98.82 грн
148+95.80 грн
158+87.05 грн
250+79.00 грн
500+69.11 грн
1000+63.44 грн
3000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+107.92 грн
100+73.21 грн
500+54.15 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.21 грн
500+54.15 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHLQ(M1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH160816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 16-08-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+111.26 грн
500+89.62 грн
1000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+114.27 грн
100+78.56 грн
500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.96 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+62.34 грн
1000+58.75 грн
2500+56.82 грн
5000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.50 грн
10+141.74 грн
25+140.99 грн
100+135.23 грн
250+124.55 грн
500+118.92 грн
1000+118.27 грн
3000+117.63 грн
6000+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.50 грн
101+140.99 грн
102+135.23 грн
250+124.55 грн
500+118.92 грн
1000+118.27 грн
3000+117.63 грн
6000+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.94 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.51 грн
119+119.90 грн
250+115.09 грн
500+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.52 грн
10+194.91 грн
100+140.94 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.06 грн
148+96.39 грн
170+83.73 грн
200+77.09 грн
1000+65.31 грн
2000+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBToshibaMOSFETs SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1HLQ(OToshiba SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+100.51 грн
100+68.61 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+120.67 грн
25+102.86 грн
100+75.25 грн
250+74.56 грн
500+61.03 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.72 грн
10+91.84 грн
25+91.20 грн
100+66.00 грн
250+60.51 грн
500+51.00 грн
1000+48.66 грн
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+88.92 грн
100+53.09 грн
250+53.02 грн
500+43.15 грн
1000+38.24 грн
2500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.93 грн
100+58.18 грн
500+43.45 грн
1000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.84 грн
156+91.20 грн
208+68.45 грн
250+65.35 грн
500+53.12 грн
1000+48.66 грн
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
500+61.40 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
10+128.06 грн
100+79.41 грн
500+61.40 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
на замовлення 15083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+64.62 грн
100+46.18 грн
500+43.56 грн
1000+41.35 грн
5000+35.90 грн
10000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.30 грн
25+62.33 грн
100+59.19 грн
250+53.94 грн
500+50.96 грн
1000+50.13 грн
3000+49.31 грн
6000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.30 грн
228+62.33 грн
231+61.38 грн
250+58.26 грн
500+53.08 грн
1000+50.13 грн
3000+49.31 грн
6000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(M
Код товару: 176221
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.56 грн
294+48.29 грн
299+47.53 грн
1000+44.38 грн
2000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ
Код товару: 210299
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+96.06 грн
100+57.30 грн
250+57.23 грн
500+46.25 грн
1000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+91.02 грн
100+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
150+94.50 грн
161+88.55 грн
200+72.08 грн
1000+62.69 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
50+111.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaMOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 17156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.54 грн
10+146.87 грн
100+93.89 грн
500+78.70 грн
1000+72.49 грн
2500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
10+134.77 грн
100+93.49 грн
500+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.67 грн
500+79.27 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.64 грн
97+146.48 грн
120+118.12 грн
500+106.62 грн
1000+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.29 грн
10+144.97 грн
100+100.67 грн
500+79.27 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1L1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.90 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+131.92 грн
100+91.42 грн
500+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
500+86.00 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaTPH1R306PL1,LQ(M
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.14 грн
94+152.14 грн
116+122.85 грн
500+111.17 грн
1000+91.12 грн
2000+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+157.86 грн
100+109.53 грн
500+86.00 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLLQ(M1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+93.03 грн
100+62.99 грн
500+47.05 грн
1000+43.17 грн
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+73.04 грн
100+42.80 грн
500+40.73 грн
1000+39.97 грн
2500+36.86 грн
5000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.25 грн
500+39.64 грн
1000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaTPH1R403NL1,LQ(M
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
11+79.81 грн
100+57.34 грн
500+45.02 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]