Продукція > TPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPW4066-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 14-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 4 | на замовлення 23880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4157-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Number of Circuits: 1 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Crosstalk: -65dB @ 1MHz Charge Injection: 20pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Supplier Device Package: SC-70-6 -3db Bandwidth: 100MHz On-State Resistance (Max): 1.15Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4157-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Supplier Device Package: SC-70-6 -3db Bandwidth: 100MHz On-State Resistance (Max): 1.15Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Circuits: 1 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Crosstalk: -65dB @ 1MHz Charge Injection: 20pC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4157-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Number of Circuits: 1 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Crosstalk: -65dB @ 1MHz Charge Injection: 20pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Supplier Device Package: SOT-23-6 -3db Bandwidth: 100MHz On-State Resistance (Max): 1.15Ohm | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4157-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Number of Circuits: 1 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Crosstalk: -65dB @ 1MHz Charge Injection: 20pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Supplier Device Package: SOT-23-6 -3db Bandwidth: 100MHz On-State Resistance (Max): 1.15Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP | на замовлення 28262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 116A 8-Pin DSOP Advance | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 14368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 14368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R008NHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V | на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 11854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | Toshiba | TPW4R50ANH,L1Q(M | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW4R50ANHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPW6110 | Filtran | Трансформатори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWA02B-TF21 | на замовлення 3925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPWA10B-TF21 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPWBOOM1 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWBOOM8 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10 Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWCC16B-TC10 | MURATA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPWDS-BBE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWE066DKHN-T6 | Sullins Connector Solutions | Description: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWE066DKHN-TUGP | Sullins Connector Solutions | Description: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWE090DKHN-TAGP | Sullins Connector Solutions | Description: CONN AGP FMALE 180POS 0.039 GOLD Read Out: Dual Operating Temperature: -55°C ~ 85°C Pitch: 0.039" (1.00mm) Number of Positions: 180 Mounting Type: Through Hole Color: Brown Contact Finish: Gold Gender: Female Features: Board Guide Packaging: Tray Number of Rows: 2 Contact Material: Phosphor Bronze Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm) Termination: Solder Card Type: AGP Pro Universal Contact Type: Cantilever | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWE121DKRN-T621 | Sullins Connector Solutions | Description: CONN CPU SLOT 1 FEMALE 242POS Number of Rows: 2 Number of Positions/Bay/Row: 73; 48 Contact Material: Phosphor Bronze Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm) Termination: Solder Card Thickness: 0.063" (1.60mm) Card Type: CPU - Slot 1 Contact Type: Cantilever Read Out: Dual Operating Temperature: -55°C ~ 85°C Pitch: 0.039" (1.00mm) Number of Positions: 242 Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Color: Brown Contact Finish: Gold Gender: Female Features: Card Extender Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWF18L | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWF18L-2 | Technical Pro | Description: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWJB12PKG | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWM1352 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWM1641 | Technical Pro | Description: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz Height (Max): 1.750" (44.45mm) Port Location: Bottom Direction: Cardioid Termination: Solder Pads Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm) Output Type: Analog Packaging: Tape & Box (TB) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWM241 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWPH15 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR001 | Microchip Technology | Description: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 9903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS | на замовлення 18773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm | на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR6003PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWR7904PB | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 6809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 9354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Advance L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Advance L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | на замовлення 13504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP | на замовлення 10040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |

