Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085onsemiMOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.41 грн
50+103.78 грн
100+87.84 грн
500+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemi / FairchildMOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.26 грн
100+63.70 грн
500+60.25 грн
1000+54.89 грн
2500+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.20 грн
50+83.84 грн
100+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86369 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.20 грн
500+96.49 грн
1000+88.97 грн
10000+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
50+77.98 грн
100+65.68 грн
500+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+91.61 грн
500+82.46 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085
Код товару: 176089
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085onsemi / FairchildMOSFETs MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+72.99 грн
100+48.96 грн
500+36.26 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.12 грн
1000+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.08 грн
10+77.03 грн
25+70.33 грн
100+62.92 грн
500+54.56 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.92 грн
5000+29.47 грн
7500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.03 грн
202+70.33 грн
217+65.25 грн
500+58.93 грн
1000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085ONS/FAIMOSFET, N-Channel, 80 V, 25 A, 21 m? Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.57 грн
50+59.05 грн
100+49.51 грн
500+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80/20V 25A N-chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.27 грн
5000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86381-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.57 грн
1000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647Lonsemi / FairchildMOSFETs 40/20V Nch Power Trench
на замовлення 29052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 10089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.52 грн
100+57.70 грн
500+42.97 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LFairchildN-Channel 40V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD8647L ON Semiconductor TFDD8647L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.24 грн
5000+35.21 грн
7500+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+144.97 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.39 грн
5000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.14 грн
5000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.16 грн
15+52.97 грн
25+52.85 грн
100+47.18 грн
250+43.25 грн
500+40.55 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+52.97 грн
268+52.85 грн
290+48.93 грн
292+46.71 грн
500+42.24 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+144.97 грн
1000+133.18 грн
10000+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.22 грн
50+64.23 грн
100+53.92 грн
500+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.95 грн
5000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540onsemi / FairchildMOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 20865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86561-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
10+146.28 грн
50+112.48 грн
100+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+159.57 грн
10000+145.81 грн
15000+135.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.23 грн
100+56.86 грн
500+42.31 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+80.30 грн
500+72.27 грн
1000+66.65 грн
10000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.61 грн
5000+34.64 грн
7500+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085onsemi / FairchildMOSFET 60/20V 1000A NCnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 113879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.73 грн
513+69.06 грн
1000+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
на замовлення 9781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.52 грн
100+54.85 грн
500+40.76 грн
1000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.73 грн
513+69.06 грн
1000+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.14 грн
5000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86581-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.73 грн
513+69.06 грн
1000+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8750Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 13 V
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 607 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8770Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 13 V
на замовлення 51479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8770onsemi / FairchildMOSFET T6 60V SO8FL
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8770ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8778ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.