Продукція > RN2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2907FE(TE85LF)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.98 грн
100+10.70 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
2000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908TOSHIBASOT363
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+5.99 грн
500+4.12 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.30 грн
100+8.26 грн
500+5.96 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.98 грн
100+8.12 грн
500+5.63 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908TE85L
на замовлення 615000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909TOSHIBASOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CTToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, -50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.98 грн
100+8.12 грн
500+5.63 грн
1000+4.98 грн
2000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910TOSHIBA
на замовлення 123200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 4.7kOhm 4.7kOhm -50V -0.1A (SOT-363)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FETOSHIBASOT46 06/07+
на замовлення 204565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LFToshibaDigital Transistors US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.40 грн
100+9.65 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911/YM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911?TE85R?TOSHIBASOT23-6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FETOSHIBA
на замовлення 62200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
19+16.76 грн
100+8.43 грн
500+6.46 грн
1000+4.79 грн
2000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN293
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.87 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.87 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.87 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FSTOSHIBA
на замовлення 22926 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]