Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30 V PowerFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL66DN3LLH5STMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 78.5A; Idm: 80A; 72W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 78.5A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 72W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±22V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL66DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL66DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL66DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.07 грн
50+88.31 грн
100+74.47 грн
500+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL66N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL66N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL66N3LLH5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 84A; 72W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 72W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±22V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL66N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.21 грн
50+69.55 грн
100+58.42 грн
500+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL672-0601
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.03 грн
100+27.50 грн
500+19.92 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N2VH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.55 грн
6000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.55 грн
6000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
на замовлення 5929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+39.94 грн
50+29.36 грн
100+24.35 грн
500+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6NK55ZST2004
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6NM60N
на замовлення 64947 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.87 грн
6000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
на замовлення 39595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 14299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.63 грн
50+52.14 грн
100+43.63 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.44 грн
9000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.87 грн
6000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7003
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7029
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7031A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7065C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7066
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL70BC
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N10F3STMicroelectronics
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N4LLF5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+79.57 грн
100+50.75 грн
500+39.93 грн
1000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N4LLF5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL70N4LLF5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL71STMTO-92 07+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL72STMTO-92 04+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL72STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL73STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 600mA, 3V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL73-AP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL73D
Код товару: 75379
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73DSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 600mA, 3V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73DSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL73D-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73D-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73D-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage Fast Switch NPN Pwr Trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL73D-APSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.31 грн
30+26.05 грн
50+24.87 грн
100+22.79 грн
500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL73H-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL7545STPLCC
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7550
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL755O
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0055 Ohm 19A STripFET V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL75N8LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80V 18A 0.0062 Ohm STripFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL75N8LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL75NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL75NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.19 грн
50+76.73 грн
100+64.61 грн
500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 71W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL76DN4LF7AG - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 15549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.74 грн
108+131.69 грн
152+93.78 грн
500+71.28 грн
1000+64.37 грн
3000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL78L05
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL78L05ACD03+
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.24 грн
100+75.36 грн
500+56.72 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7DN6LF3STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.46 грн
6000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+165.88 грн
50+128.12 грн
100+108.81 грн
500+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN80K5STMSTL7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.