Продукція > Si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4425FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0614
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 P-CH 30V 12.7A
на замовлення 60354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.70 грн
10+50.73 грн
50+37.55 грн
100+31.26 грн
500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDYVishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.3A 3W
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.40 грн
10+81.19 грн
100+57.40 грн
500+43.94 грн
1000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDYT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427DYVISHAY09+
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4427DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427DYT1E3VISHAY
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4428DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4429
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4429DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4429DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4429DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4429EDY-T1VISHAY
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4429EDYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI443
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430SISOP-8
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-A0-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 28mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-A0-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-A0-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4430
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.01 грн
10+627.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4430
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430-B1-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430AH
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.71 грн
10+121.79 грн
100+84.69 грн
500+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 20A 0.0045Ohm
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4430BDY-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430DY-T1VISHAY0343+
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431SISOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-A0-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 28mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-A0-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-A0-FMRSilicon LabsDescription: +13 DBM SUB-GHZ TRANSMITTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Frequenzgang HF, max.: 930MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenzgang HF, min.: 240MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.82 грн
10+637.49 грн
25+600.48 грн
100+516.51 грн
490+469.78 грн
980+451.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transceiver (rev B1) SI4431
кількість в упаковці: 91 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transceiver (rev B1) SI4431
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431-B1-FMRSILICON LABSCategory: RF modules
Description: IC: RF transceiver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+662.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431A09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431ADYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431ADY-T1VISHAY05+
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431ADY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431ADYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431B
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDYVishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.96 грн
223+63.79 грн
500+52.10 грн
1000+49.37 грн
2500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V (D-S) 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4431BDY-T1-E3
Код товару: 127262
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.32 грн
10+88.50 грн
100+64.17 грн
500+50.55 грн
1000+45.99 грн
2500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431BDY-T1-GE3 - P CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.