Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+135.50 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesMOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.75 грн
10+294.71 грн
100+199.01 грн
500+173.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon / IRMOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7434PBF - IRFSL7434 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.22 грн
5+110.11 грн
10+90.78 грн
25+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.81 грн
50+98.82 грн
100+97.83 грн
500+78.39 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.52 грн
10+82.28 грн
100+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.15 грн
10+68.90 грн
100+55.79 грн
500+51.25 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.52 грн
144+98.52 грн
146+97.53 грн
500+78.15 грн
1000+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.68 грн
50+80.37 грн
100+72.26 грн
500+54.48 грн
1000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.25 грн
91+156.87 грн
137+103.95 грн
200+97.50 грн
500+85.22 грн
1000+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+119.31 грн
500+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF Infineon Technologies
Код товару: 212143
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon / IRMOSFET Trench Mosfet - TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.98 грн
10+72.75 грн
100+48.88 грн
250+48.67 грн
500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.33 грн
500+98.40 грн
1000+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+217.35 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A TO-262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.98 грн
10+96.83 грн
100+77.06 грн
500+61.20 грн
1000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.64 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+178.37 грн
1000+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+178.37 грн
1000+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7530PBF - IRFSL7530 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+153.97 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
10000+143.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7534PBF - IRFSL7534 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.47 грн
10+187.10 грн
100+120.80 грн
250+120.10 грн
500+106.84 грн
1000+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.30 грн
10+197.29 грн
100+139.48 грн
500+107.72 грн
1000+101.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.98 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+137.81 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.75 грн
10+293.10 грн
100+208.09 грн
500+178.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7734PBF - IRFSL7734 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
50+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.67 грн
10+161.41 грн
100+112.42 грн
500+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.52 грн
50+124.57 грн
100+112.86 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ34A
Код товару: 7956
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ34AFAIRCHILD2003
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ44SAMSUNGTO-55
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT001IORZIP
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT002IR
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT003IORZIP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTOXIC10PADSIOR2007
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTOXIC8PADSIOR2007
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 16349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.60 грн
1072+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInternational RectifierMOSF N CH 30V 8.2A TSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.14 грн
321+44.29 грн
500+42.70 грн
1000+39.82 грн
2500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.79 грн
17+19.43 грн
100+11.03 грн
500+10.40 грн
3000+8.17 грн
6000+7.68 грн
9000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.96 грн
42+19.71 грн
100+12.95 грн
500+10.97 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
12+26.02 грн
100+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
6000+11.47 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
6000+11.47 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]