Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFSL4410IR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 88A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410TRPBFIR0638+ TO262
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+168.49 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL4410ZPBF - IRFSL4410Z - TRENCH 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+169.81 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510International RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4610Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4610PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4620PBFRochester Electronics, LLCDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4710International RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL52N15DIRTO-262 0611+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL59N10DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.27 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.10 грн
500+190.51 грн
1000+179.93 грн
10000+163.30 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesMOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+134.90 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+151.70 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon / IRMOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7434PBF - IRFSL7434 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.08 грн
144+98.08 грн
146+97.10 грн
500+77.80 грн
1000+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
50+80.01 грн
100+71.94 грн
500+54.24 грн
1000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.20 грн
91+156.17 грн
137+103.49 грн
200+97.07 грн
500+84.84 грн
1000+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+118.78 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.37 грн
50+98.38 грн
100+97.39 грн
500+78.04 грн
1000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF Infineon Technologies
Код товару: 212143
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon / IRMOSFET Trench Mosfet - TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.84 грн
500+97.97 грн
1000+90.35 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A TO-262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.44 грн
10+96.40 грн
100+76.72 грн
500+60.92 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.35 грн
1000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+177.58 грн
1000+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7530PBF - IRFSL7530 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+177.58 грн
1000+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7534PBF - IRFSL7534 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+166.99 грн
1000+157.58 грн
10000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.92 грн
10+196.41 грн
100+138.86 грн
500+107.24 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+177.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7730PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+137.19 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+111.10 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7734PBF - IRFSL7734 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
1000+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.54 грн
50+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]