Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS9N60ATRLPBF
Код товару: 44716
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.62 грн
10+215.53 грн
50+167.99 грн
100+143.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.52 грн
9+91.60 грн
10+88.44 грн
25+84.43 грн
100+76.18 грн
250+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFIR2006
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.62 грн
10+215.53 грн
50+167.99 грн
100+143.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF
Код товару: 206444
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.43 грн
10+101.58 грн
50+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20D
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15D
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL23N20D102PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRLPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3004TRRPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.89 грн
500+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+279.89 грн
500+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+196.13 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20D
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL31N20DTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
50+123.95 грн
100+112.08 грн
500+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.58 грн
500+159.94 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+91.80 грн
Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.58 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.21 грн
69+207.07 грн
100+188.67 грн
500+150.58 грн
1000+128.66 грн
2000+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.27 грн
46+310.35 грн
55+260.62 грн
100+217.74 грн
250+198.06 грн
500+173.09 грн
1000+152.62 грн
2000+144.10 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.04 грн
10+209.93 грн
25+174.38 грн
50+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.64 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.04 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.60 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.14 грн
10+300.01 грн
100+255.86 грн
500+216.16 грн
1000+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.96 грн
58+247.51 грн
116+121.81 грн
1000+116.28 грн
5000+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFIR1014+ TO262
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.41 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.88 грн
107+131.94 грн
121+117.08 грн
158+86.17 грн
500+78.99 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.50 грн
50+100.14 грн
100+93.11 грн
500+83.21 грн
1000+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.88 грн
10+131.94 грн
50+117.08 грн
100+86.17 грн
500+78.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
10000+101.54 грн
100000+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3307Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3307ZPBFIR08+ TO262
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL33N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL33N15DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3507Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 97A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3607PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3806PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 19647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.40 грн
1000+44.64 грн
10000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3806PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3806PBF - IRFSL3806 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3806PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL38N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]