Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.58 грн
388+36.49 грн
500+28.38 грн
1000+24.91 грн
2000+21.05 грн
5000+17.38 грн
10000+15.52 грн
20000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.89 грн
500+20.82 грн
1000+15.77 грн
5000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+42.35 грн
348+40.65 грн
500+39.18 грн
1000+36.54 грн
2500+32.84 грн
5000+30.68 грн
10000+29.93 грн
25000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
10+42.45 грн
12+36.73 грн
50+30.93 грн
100+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.46 грн
10000+13.77 грн
15000+13.21 грн
25000+11.80 грн
35000+11.44 грн
50000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.10 грн
27+28.32 грн
37+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 53799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.65 грн
50+45.56 грн
250+29.65 грн
1000+18.51 грн
3000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.25 грн
37+384.98 грн
50+370.31 грн
100+344.96 грн
250+309.73 грн
500+289.25 грн
1000+282.17 грн
2500+275.94 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.64 грн
79+180.09 грн
100+166.89 грн
200+159.11 грн
500+122.91 грн
2000+114.76 грн
5000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 28262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.49 грн
10+182.30 грн
100+128.30 грн
500+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.18 грн
59+240.82 грн
64+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.53 грн
250+151.88 грн
1000+126.86 грн
3000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.18 грн
10+240.82 грн
25+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+306.98 грн
50+187.24 грн
250+146.26 грн
1000+114.17 грн
3000+101.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.11 грн
75+188.64 грн
100+182.23 грн
250+170.40 грн
500+153.48 грн
1000+143.74 грн
2500+140.57 грн
5000+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 89A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.89 грн
10+226.62 грн
100+160.72 грн
500+123.87 грн
1000+110.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.34 грн
10+209.83 грн
100+148.74 грн
500+121.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 89A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.72 грн
500+129.09 грн
1000+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03SINF09+
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 22849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.16 грн
10+64.40 грн
100+42.80 грн
500+31.46 грн
1000+28.66 грн
2000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.27 грн
10000+23.62 грн
15000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.52 грн
224+63.17 грн
240+59.03 грн
1000+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N3SINFINEON
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5Infineon TechnologiesBSC096N10LS5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.36 грн
84+168.68 грн
100+162.96 грн
250+152.37 грн
500+137.24 грн
1000+128.54 грн
2500+125.70 грн
5000+123.19 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.60 грн
50+104.47 грн
250+87.59 грн
1000+66.34 грн
3000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 9221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+85.52 грн
25+80.62 грн
100+69.44 грн
250+65.70 грн
500+63.05 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.30 грн
169+83.82 грн
174+81.56 грн
500+78.47 грн
1000+72.49 грн
2000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.51 грн
132+107.47 грн
250+103.16 грн
500+95.89 грн
1000+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.47 грн
250+87.59 грн
1000+66.34 грн
3000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.11 грн
250+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.72 грн
10000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.20 грн
10000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.47 грн
50+69.11 грн
250+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.52 грн
352+40.26 грн
500+35.08 грн
1000+29.28 грн
5000+23.83 грн
10000+21.42 грн
20000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+63.80 грн
100+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1
Код товару: 124600
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTInfineonMOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.06 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.91 грн
1000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.15 грн
11+77.63 грн
100+51.51 грн
500+38.06 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 21634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.68 грн
12+68.07 грн
100+56.73 грн
500+45.22 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.37 грн
100+64.63 грн
500+48.30 грн
1000+44.33 грн
2000+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.99 грн
14+54.97 грн
25+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.73 грн
500+45.22 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 26231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.74 грн
11+73.29 грн
100+50.63 грн
500+33.95 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]