Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.63 грн
235+60.39 грн
249+57.08 грн
1000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+90.12 грн
100+60.89 грн
500+45.39 грн
1000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TISON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.32 грн
19+40.20 грн
25+39.79 грн
100+25.31 грн
250+23.19 грн
500+17.29 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 71671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.92 грн
100+54.41 грн
500+40.37 грн
1000+36.94 грн
2000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.93 грн
10000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.84 грн
10000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.52 грн
380+37.33 грн
500+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.21 грн
10000+30.89 грн
15000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.79 грн
541+26.24 грн
546+25.97 грн
703+19.46 грн
1057+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.80 грн
210+67.81 грн
500+53.25 грн
1000+46.83 грн
2000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.83 грн
100+52.92 грн
500+39.23 грн
1000+35.87 грн
2000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 11218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 37880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1086 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+42.05 грн
375+37.80 грн
389+36.48 грн
500+33.53 грн
1000+29.70 грн
5000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 32247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LS G
Код товару: 176096
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.18 грн
27+28.39 грн
37+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+34.10 грн
50+25.01 грн
100+20.69 грн
500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 17492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
10+42.05 грн
12+37.48 грн
50+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.67 грн
388+36.57 грн
500+28.44 грн
1000+24.97 грн
2000+21.09 грн
5000+17.42 грн
10000+15.55 грн
20000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+42.44 грн
348+40.74 грн
500+39.26 грн
1000+36.62 грн
2500+32.91 грн
5000+30.75 грн
10000+29.99 грн
25000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+403.15 грн
37+385.83 грн
50+371.13 грн
100+345.73 грн
250+310.42 грн
500+289.89 грн
1000+282.80 грн
2500+276.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.23 грн
59+242.31 грн
92+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.17 грн
10+186.07 грн
25+182.57 грн
100+153.18 грн
250+140.40 грн
500+119.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.17 грн
77+186.07 грн
78+182.57 грн
100+153.18 грн
250+140.40 грн
500+119.64 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.23 грн
10+242.31 грн
25+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.05 грн
10+219.13 грн
50+170.80 грн
100+145.70 грн
500+119.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 7948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 19525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 89A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 89A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
10+210.30 грн
100+149.07 грн
500+121.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03SINF09+
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 10513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.63 грн
50+31.43 грн
100+26.08 грн
500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.70 грн
224+63.32 грн
240+59.16 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N3SINFINEON
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5Infineon TechnologiesBSC096N10LS5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.75 грн
84+169.06 грн
100+163.32 грн
250+152.71 грн
500+137.55 грн
1000+128.82 грн
2500+125.98 грн
5000+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.48 грн
169+84.01 грн
174+81.74 грн
500+78.64 грн
1000+72.65 грн
2000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.76 грн
132+107.71 грн
250+103.39 грн
500+96.10 грн
1000+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+102.91 грн
50+77.93 грн
100+65.55 грн
500+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.02 грн
50+33.19 грн
100+27.55 грн
500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.78 грн
10000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.