Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: IPD50N12 - 120V-300V N-CHANNEL A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+55.79 грн
50+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11
Код товару: 118209
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 8300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 10673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.61 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.61 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 8300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 10673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.26 грн
250+56.88 грн
500+54.83 грн
1000+51.15 грн
2500+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.03 грн
50+51.66 грн
100+43.21 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 122513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
10000+46.68 грн
100000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.74 грн
7500+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.00 грн
192+74.18 грн
207+68.51 грн
500+53.40 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4-13Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4-13Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
159+89.19 грн
250+85.62 грн
500+79.58 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 17904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 17904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.38 грн
7500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
1000+52.46 грн
10000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.52 грн
50+52.81 грн
100+44.20 грн
500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413AUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413AUMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Case: DPAK
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
82+70.70 грн
100+59.83 грн
300+55.67 грн
500+54.84 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
159+89.19 грн
250+85.62 грн
500+79.58 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Replacement: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11; IPD50P04P4L11ATMA2 TIPD50p04p4l11
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L-11(мікросхема)
Код товару: 83618
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11UMWMOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.86 грн
50+64.74 грн
100+54.37 грн
500+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 17137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 116143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 116143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 58511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.34 грн
136+104.96 грн
195+72.70 грн
500+55.79 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
10000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.52 грн
50+55.15 грн
100+46.20 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.18 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 58511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2InfineonIPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.34 грн
10+104.96 грн
100+72.70 грн
500+55.79 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 18119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
7500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.55 грн
80+177.81 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11AUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 8.8A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.42 грн
100+25.32 грн
500+18.55 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 8.8A DPAK-2
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.13 грн
101+141.50 грн
250+135.83 грн
500+126.25 грн
1000+113.09 грн
2500+105.36 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.