Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.60 грн
150+94.75 грн
165+83.30 грн
250+74.24 грн
500+67.66 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 1.7A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEInfineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.79 грн
5000+15.17 грн
12500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
885+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.50 грн
5000+13.46 грн
7500+13.32 грн
12500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.85 грн
25+32.78 грн
100+21.10 грн
500+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 29571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.90 грн
100+17.96 грн
500+12.81 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.50 грн
5000+13.46 грн
7500+13.32 грн
12500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+40.99 грн
488+29.10 грн
493+28.80 грн
621+22.02 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.10 грн
500+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.61 грн
15+21.36 грн
100+12.29 грн
500+12.22 грн
2500+9.39 грн
10000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.84 грн
5000+9.53 грн
7500+9.07 грн
12500+8.03 грн
17500+7.74 грн
25000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.68 грн
5000+13.61 грн
7500+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.58 грн
19+41.41 грн
25+40.99 грн
100+28.06 грн
250+25.72 грн
500+19.58 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.48 грн
5000+13.44 грн
7500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1Rochester Electronics, LLCDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.61 грн
57+13.40 грн
58+13.19 грн
59+12.52 грн
100+11.41 грн
250+10.78 грн
500+10.60 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 24A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEInfineon TechnologiesDescription: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 10072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.95 грн
100+34.99 грн
500+25.59 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.25 грн
5000+19.82 грн
7500+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+37.25 грн
431+32.92 грн
432+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.29 грн
25+37.25 грн
100+31.75 грн
250+29.35 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.25 грн
50+42.69 грн
100+37.45 грн
500+29.77 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.12 грн
10+40.33 грн
25+34.86 грн
100+28.23 грн
250+28.03 грн
500+24.92 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 7.6A DPAK-2 CoolMOS CE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 7.1A DPAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CP
Код товару: 133480
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPInfineonMOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.03 грн
13+62.90 грн
100+40.11 грн
500+31.11 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.92 грн
10+47.55 грн
100+27.34 грн
500+21.06 грн
1000+19.12 грн
2500+17.12 грн
5000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.50 грн
5000+29.72 грн
10000+27.67 грн
12500+26.66 грн
25000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.11 грн
500+31.11 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+52.58 грн
100+34.57 грн
500+25.67 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.03 грн
5000+27.39 грн
10000+25.50 грн
12500+24.58 грн
25000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEInfineon TechnologiesDescription: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.05 грн
100+29.20 грн
500+22.99 грн
1000+20.50 грн
2500+17.33 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.53 грн
20+42.04 грн
100+28.99 грн
500+23.93 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+44.05 грн
100+30.51 грн
500+23.92 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+23.93 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R800CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 5A DPAK-2
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+48.35 грн
100+27.68 грн
500+21.75 грн
1000+19.40 грн
2500+16.43 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+34.03 грн
100+23.31 грн
500+16.78 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+39.38 грн
100+23.33 грн
500+19.47 грн
1000+16.57 грн
2500+15.05 грн
5000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.23 грн
138+103.39 грн
250+99.24 грн
500+92.25 грн
1000+82.63 грн
2500+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3 GInfineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.67 грн
183+77.85 грн
228+62.37 грн
230+59.69 грн
500+54.53 грн
1000+52.24 грн
2000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.62 грн
500+45.47 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.61 грн
250+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]