Продукція > PSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PSMN017-30PL,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 Код товару: 202290
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 44A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 943 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 108770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V | на замовлення 3614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK | на замовлення 9420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-60YS.115 Код товару: 141396
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PSMN017-80BS,118 | Nexperia | MOSFETs PSMN017-80BS/SOT404/D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-80BS,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 103W (Tc) | на замовлення 4164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80BS,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W Case: D2PAK; SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 200A Drain current: 50A Drain-source voltage: 80V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 26nC On-state resistance: 15.2mΩ Power dissipation: 103W Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W Case: SOT78; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 200A Drain current: 50A Drain-source voltage: 80V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 26nC On-state resistance: 15.2mΩ Power dissipation: 103W Kind of channel: enhancement | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia | MOSFET PSMN017-80PS/SOT78/SIL3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | NXP Semiconductors | PSMN018-100ESFQ | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | Nexperia | MOSFET PSMN018-100ESF SOT226/I2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 111W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-100PSFQ | Nexperia | MOSFET PSMN018-100PSF SOT78/SIL3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-100PSFQ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-100PSFQ | Nexperia | PSMN018-100PSFQ Nexperia Transistors MOSFETs N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Arrow.com | на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 45A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3038 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | MOSFET PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN018-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 56A | на замовлення 4714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm | на замовлення 1646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK | на замовлення 22506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V | на замовлення 17146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-100YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-150W | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PSMN020-150W | NXP Semiconductors | MOSFETs RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-150W,127 | Nexperia | MOSFETs RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-150W,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 73A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9537 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR >30MHZ Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | на замовлення 6572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 31.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN020-30MLCX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 49A | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V | на замовлення 5826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMN021-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

