Продукція > RN1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN142-1.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-1.4-02-27M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.4A 27mH 500mOhm Horizontal Choke | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-1.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-2-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH Inductance @ Frequency: 6.8 mH @ 10 kHz DC Resistance (DCR) (Max): 190mOhm (Typ) Current Rating (Max): 2A (Typ) Voltage Rating - AC: 250V Height (Max): 0.787" (20.00mm) Approval Agency: UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 6.8mH 192mOhm Horizontal Choke | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-2-02-6M8 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH Inductance @ Frequency: 6.8 mH @ 10 kHz Part Status: Active DC Resistance (DCR) (Max): 192mOhm (Typ) Current Rating (Max): 2A Voltage Rating - AC: 300V Height (Max): 0.787" (20.00mm) Approval Agency: ENEC, UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Packaging: Tube | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6.8mH 10kHz 2A 0.192Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-4-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: COMMON MODE CHOKE 4A 2 LN T/H | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-4-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 4A 0.067Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-4-02-3M3 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 3.3MH 4A 2LN TH Packaging: Tube Inductance @ Frequency: 3.3 mH @ 10 kHz DC Resistance (DCR) (Max): 67mOhm (Typ) Current Rating (Max): 4A Voltage Rating - AC: 300V Height (Max): 0.787" (20.00mm) Approval Agency: ENEC, UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-4-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 4A 3.3mH 67mOhm Horizontal Choke | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 1.8MH 6A 2LN TH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN142-6/02 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 6A 1.8mH 20mOhm Horizontal Choke | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | сетевой дросель 6А 1,8mH Протизавадні фільтри | на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 6A 1.8mH 20mOhm Horizontal Choke | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN142-6-02-1M8 - FILTER, COMMON MODE, 1.8MH, 6A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 6A isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1.8MH 6A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.303" L x 1.280" W (33.10mm x 32.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.787" (20.00mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 6A DC Resistance (DCR) (Max): 20mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 1.8 mH @ 10 kHz | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 6A 0.02Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142-6/02 Код товару: 94362
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN142-6/02 : RN142-6-02 RN142-6/02 | Schaffner | сетевой дросель 6А 1,8mH Протизавадні фільтри | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1421 | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1421 | на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN1421(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 7332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1421/QA | TOSHIBA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN1421TE85L | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1421TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1422 | TOSHIBA | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1422(QB) | TOS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN1422(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 7745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1422(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 9881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1422TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 38688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423 | TOSHIBA | SOT-23 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1423(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1423(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 25012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 22323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 11565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1424(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1424(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1424(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1424(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1424(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1424(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 14798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1424TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 5519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1425 | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 4580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1425N76 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 470 Ohms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1425TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 20530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 470 Ohms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426 | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1426 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1426(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1426(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426(TE85L,F) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN1426(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1426(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426TE85L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 5306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 10737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1426TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427 | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427 | TOSHIBA | на замовлення 61000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN1427(TE85L,F) Код товару: 169677
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN1427(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1427(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1427(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1427(TE85L,F) - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 5961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1427(TE85L,F) QG. | Toshiba | NPN 50V 800mA 200mW 300MHz +res. 22k+10k RN1427TE85LF RN1427 TRN1427 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 199 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 327 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 300 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 92 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG | на замовлення 11260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1427TE85LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN142G | ROHM | SOD723 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142GT2R | ROHM Semiconductor | PIN Diodes HIGH FREQUENCY | на замовлення 7828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142GT2R | Rohm Semiconductor | Description: RF DIODE PIN 60V VMD2 Current - Max: 100 mA Part Status: Obsolete Capacitance @ Vr, F: 0.45pF @ 1V, 1MHz Operating Temperature: 150°C (TJ) Diode Type: PIN - Single Package / Case: SOD-723 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: VMD2 Voltage - Peak Reverse (Max): 60V Resistance @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142GT2R | Rohm Semiconductor | Description: RF DIODE PIN 60V VMD2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-723 Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.45pF @ 1V, 1MHz Resistance @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 60V Supplier Device Package: VMD2 Part Status: Obsolete Current - Max: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142S | на замовлення 488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN142S | ROHM Semiconductor | PIN Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142S TE61 | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142S9HLTE61 | Rohm Semiconductor | Description: RF DIODE PIN SMD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142SFH | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN142SFHTE61 | Rohm Semiconductor | Description: RF DIODE PIN SMD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

