Продукція > Si2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2343
на замовлення 120456 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 4.2A
на замовлення 131011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.62 грн
100+24.34 грн
500+17.56 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3Vishay SiliconixSI2343CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
549+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.87 грн
6000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.47 грн
30+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.76 грн
6000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 14726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.17 грн
11+39.47 грн
50+28.17 грн
100+24.18 грн
500+17.28 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 31714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.62 грн
50+27.67 грн
100+22.94 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2343CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 5.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.44 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.38 грн
100+28.30 грн
500+20.47 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.94 грн
6000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
на замовлення 20504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.87 грн
15+53.49 грн
100+39.15 грн
500+32.22 грн
1000+25.76 грн
3000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.94 грн
6000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 86mΩ
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.99 грн
100+30.03 грн
500+21.76 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.29 грн
364+39.01 грн
500+33.29 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.87 грн
6000+16.75 грн
9000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 F3..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 86mOhm; 3,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2343DS TSI2343ds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.40 грн
29+26.94 грн
50+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2343DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
на замовлення 20337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.38 грн
100+28.30 грн
500+20.47 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.41 грн
430+33.03 грн
500+31.84 грн
1000+29.70 грн
2500+26.69 грн
5000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2344DS-E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DSVishay SiliconixMOSFET P-Channel SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -20A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.8A
на замовлення 178438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2347DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.05 грн
50+18.22 грн
100+15.01 грн
500+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 426733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.53 грн
50+17.84 грн
100+14.69 грн
500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.83 грн
830+17.09 грн
1000+15.29 грн
3000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.03 грн
25+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 45316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 705 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
9000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 22nC
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
23+18.45 грн
50+14.29 грн
100+13.05 грн
500+10.39 грн
1000+8.89 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 157135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 38299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2347DS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 299000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.53 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.04 грн
15000+1.98 грн
30000+1.89 грн
75000+1.75 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-E3
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2351DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.092 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2351DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.88 грн
50+16.60 грн
100+13.66 грн
500+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 40V 3.2A
на замовлення 26043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 12473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.44 грн
50+16.26 грн
100+13.38 грн
500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 17656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
9000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
19+22.85 грн
50+16.12 грн
100+13.96 грн
500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.32 грн
100+11.53 грн
500+8.07 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A
на замовлення 57275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.22 грн
500+7.15 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3
Код товару: 166536
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.28 грн
1194+11.88 грн
2500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 85815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.