Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410BTU
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.97 грн
10+93.15 грн
100+65.43 грн
500+55.09 грн
1000+48.74 грн
3000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.08 грн
10+109.16 грн
100+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 80640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUONS/FAII-PAK (TO251) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUFAIRCHILDTO-251
на замовлення 26262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
на замовлення 9623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+67.53 грн
100+48.11 грн
500+40.43 грн
1000+35.89 грн
3000+32.82 грн
6000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.11 грн
75+69.18 грн
150+62.36 грн
525+49.42 грн
1050+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.27 грн
9+48.75 грн
10+43.79 грн
25+38.75 грн
75+33.96 грн
150+32.11 грн
300+31.02 грн
525+30.01 грн
1050+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.91 грн
32+23.63 грн
75+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.45 грн
241+59.01 грн
300+57.02 грн
525+53.20 грн
1050+47.60 грн
2025+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420TU
на замовлення 59220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430AIRFU430A Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFInternational RectifierN-CH. 500V 5.0A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.03 грн
10+120.50 грн
100+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+128.48 грн
100+76.81 грн
500+61.87 грн
1000+57.75 грн
3000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF (транзистор)
Код товару: 52948
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 500 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 490/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.33 грн
10+187.10 грн
6000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFIRFU4510PBF Транзисторы FETKY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.82 грн
75+81.61 грн
150+73.66 грн
525+58.51 грн
1050+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.57 грн
500+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.96 грн
183+77.73 грн
200+73.58 грн
500+68.03 грн
1000+65.11 грн
2000+64.80 грн
3000+64.50 грн
6000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.57 грн
500+104.90 грн
1000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.50 грн
14+60.37 грн
100+57.11 грн
500+51.59 грн
1000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.57 грн
500+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.35 грн
5+93.30 грн
10+85.73 грн
50+70.60 грн
75+67.24 грн
150+60.52 грн
450+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615International RectifierN-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 33, Ptot, Вт = 144, Udss, В = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 6390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
75+84.71 грн
150+76.52 грн
525+60.86 грн
1050+56.12 грн
2025+52.33 грн
5025+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.16 грн
134+105.96 грн
139+102.66 грн
200+94.31 грн
1000+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.90 грн
10+64.16 грн
100+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.07 грн
10+87.17 грн
100+79.92 грн
500+59.76 грн
1000+55.09 грн
5000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.07 грн
192+74.17 грн
250+73.43 грн
500+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.65 грн
10+81.39 грн
100+73.56 грн
250+70.22 грн
500+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+94.20 грн
500+90.19 грн
1000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48Z
Код товару: 99522
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1720/40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48ZIR05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.79 грн
15+57.19 грн
100+47.17 грн
500+37.14 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF
Код товару: 26942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1301+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 1301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 9002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
75+38.38 грн
150+34.21 грн
525+26.54 грн
1050+24.12 грн
2025+22.19 грн
5025+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.66 грн
287+49.42 грн
314+45.19 грн
500+38.82 грн
1000+31.70 грн
3000+28.42 грн
6000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.37 грн
10+48.83 грн
75+39.92 грн
150+38.50 грн
525+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.38 грн
10+73.24 грн
100+42.25 грн
500+33.24 грн
1000+28.42 грн
3000+25.77 грн
6000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInternational RectifierP-кан. MOSFET 55V, 31A, 0.065Ом, 110Вт, I-PAK TO-251AA/TO-251-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.06 грн
13+61.26 грн
25+49.91 грн
100+44.00 грн
500+36.30 грн
1000+30.73 грн
3000+28.71 грн
6000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.26 грн
504+70.43 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+104.39 грн
25+53.63 грн
100+48.11 грн
500+40.36 грн
1000+34.29 грн
3000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFU5410PBF
на замовлення 268395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.26 грн
504+70.43 грн
1000+64.96 грн
10000+55.84 грн
100000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.83 грн
75+55.71 грн
150+50.02 грн
525+39.33 грн
1050+36.03 грн
2025+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+136.08 грн
280+50.65 грн
304+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFU5410PBF
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.26 грн
504+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.26 грн
504+70.43 грн
1000+64.96 грн
10000+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]