Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+54.00 грн
282+50.43 грн
333+42.58 грн
525+37.75 грн
1050+34.61 грн
2025+30.50 грн
5025+29.30 грн
10050+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.89 грн
10+42.87 грн
25+35.64 грн
75+29.75 грн
150+26.22 грн
375+23.11 грн
525+22.36 грн
750+21.69 грн
1050+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.52 грн
167+85.01 грн
202+70.26 грн
525+58.56 грн
1050+53.68 грн
2025+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 49504
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
  • 17 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.34 грн
10+75.97 грн
100+48.25 грн
500+45.81 грн
3000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.32 грн
75+84.00 грн
150+75.86 грн
525+60.34 грн
1050+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.08 грн
388+36.57 грн
500+35.23 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.90 грн
20+38.08 грн
100+36.57 грн
500+33.97 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.95 грн
10+63.71 грн
75+56.90 грн
150+53.46 грн
525+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 195135
Додати до обраних Обраний товар
VBSEMIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.92 грн
75+85.30 грн
150+70.50 грн
525+58.76 грн
1050+53.86 грн
2025+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
10+86.35 грн
100+63.95 грн
500+44.10 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+116.03 грн
137+103.72 грн
150+97.51 грн
525+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFIRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Harris CorporationDescription: 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110IRTO-251
на замовлення 77665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.90 грн
10+61.75 грн
100+48.11 грн
500+40.92 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
14+61.10 грн
100+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.55 грн
75+67.85 грн
150+58.24 грн
525+48.79 грн
1050+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120
Код товару: 1696
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 5,6 A
Rds(on),Om: 0,60 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
10000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.98 грн
10+87.41 грн
50+75.65 грн
75+72.28 грн
150+68.08 грн
375+61.36 грн
1050+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.57 грн
102+140.04 грн
125+113.74 грн
150+98.96 грн
375+81.92 грн
1050+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.63 грн
75+51.20 грн
150+49.53 грн
525+45.56 грн
1050+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
15+58.08 грн
100+57.84 грн
500+52.73 грн
1000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210IRTO-251
на замовлення 46988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210
Код товару: 77978
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
у наявності: 222 шт
  • 192 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.09 грн
300+57.42 грн
750+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 1.9 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.65 грн
11+39.42 грн
75+35.47 грн
300+31.35 грн
750+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+106.06 грн
100+72.40 грн
500+54.40 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214
на замовлення 45400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.68 грн
75+74.53 грн
150+67.12 грн
525+53.11 грн
1050+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 250V 2.7 Amp
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.26 грн
10+76.69 грн
100+53.49 грн
500+48.67 грн
1000+44.90 грн
3000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220NIR07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.55 грн
10+144.29 грн
100+132.04 грн
250+122.77 грн
500+101.89 грн
1000+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.41 грн
10+106.00 грн
100+70.53 грн
500+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVISHAY
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.55 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9230BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310
Код товару: 37187
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 400 V
Id,A: 1,1 A
Rds(on),Om: 7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310VishayP-MOSFET 1.8A 400V 50W IRFU9310 TIRFU9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
75+72.30 грн
150+65.14 грн
525+51.56 грн
1050+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.28 грн
180+79.18 грн
197+71.96 грн
525+62.10 грн
1050+55.27 грн
2025+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.70 грн
205+69.18 грн
219+64.83 грн
525+61.88 грн
1050+53.83 грн
2025+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.64 грн
10+70.18 грн
25+62.79 грн
50+57.32 грн
75+54.21 грн
150+48.92 грн
525+39.34 грн
1050+34.04 грн
2025+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.71 грн
10+105.09 грн
25+61.26 грн
50+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.66 грн
146+97.33 грн
162+87.69 грн
525+71.32 грн
1050+60.74 грн
2025+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 20998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+78.05 грн
100+48.74 грн
500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.62 грн
75+79.49 грн
150+72.24 грн
525+62.34 грн
1050+55.48 грн
2025+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF
Код товару: 73659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DIR04+
на замовлення 24696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20VishayN-MOSFET 2A 600V 2,5W IRFUC20 TIRFUC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.38 грн
10+83.91 грн
100+67.78 грн
500+50.08 грн
1000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.33 грн
15+53.79 грн
25+48.76 грн
50+46.56 грн
100+42.68 грн
500+40.56 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.90 грн
10+87.53 грн
100+62.43 грн
500+58.03 грн
3000+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.92 грн
291+48.88 грн
293+48.39 грн
296+46.20 грн
500+42.35 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]