Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+57.86 грн
1000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.21 грн
500+34.34 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+57.86 грн
1000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+65.89 грн
100+44.01 грн
500+32.49 грн
1000+29.66 грн
2000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.11 грн
11+74.13 грн
100+51.21 грн
500+34.34 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0996NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0996NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100AEssentraMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSINF09+
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
15+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.82 грн
27+28.30 грн
50+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 15658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.20 грн
10000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.49 грн
12+72.02 грн
100+50.56 грн
500+34.95 грн
1000+28.08 грн
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 30295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.25 грн
100+50.37 грн
500+37.25 грн
1000+34.02 грн
2000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1
Код товару: 116160
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.99 грн
10+66.34 грн
25+55.69 грн
100+43.86 грн
250+38.16 грн
500+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.31 грн
10000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.40 грн
10000+28.30 грн
15000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1InfineonN-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 64865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.56 грн
500+34.95 грн
1000+28.08 грн
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSF GInfineon
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSF GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGInfineon technologies
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.10 грн
500+70.42 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesBSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.56 грн
10+105.47 грн
25+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.4A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.83 грн
10+123.55 грн
100+85.35 грн
500+63.40 грн
1000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesBSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+136.92 грн
100+93.93 грн
500+70.87 грн
1000+65.31 грн
2000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesBSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.73 грн
118+120.50 грн
500+96.89 грн
1000+87.40 грн
5000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesBSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSF GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+103.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.80 грн
10+172.32 грн
100+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+153.67 грн
100+106.07 грн
500+80.46 грн
1000+74.33 грн
2000+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC106N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC106N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3 G
Код товару: 218871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.48 грн
118+120.12 грн
166+85.28 грн
500+66.47 грн
1000+56.41 грн
2000+52.03 грн
5000+48.05 грн
10000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+107.48 грн
100+72.81 грн
500+54.38 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.94 грн
50+95.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 74550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.98 грн
13+62.67 грн
100+41.62 грн
500+30.49 грн
1000+25.36 грн
5000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+44.38 грн
322+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.16 грн
17+44.38 грн
25+43.94 грн
100+36.09 грн
250+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.04 грн
100+38.54 грн
500+28.29 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 27326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.23 грн
10+220.02 грн
100+154.98 грн
500+119.38 грн
1000+111.01 грн
2000+106.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]