Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.74 грн
10+246.53 грн
100+152.92 грн
800+127.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+276.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.87 грн
10+303.54 грн
100+194.82 грн
500+173.17 грн
800+152.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.73 грн
50+338.31 грн
100+332.64 грн
200+229.64 грн
500+199.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.79 грн
500+227.98 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.27 грн
10+291.01 грн
100+208.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+190.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808/PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808LIRTO-262
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.72 грн
5+156.34 грн
10+137.00 грн
25+115.15 грн
50+101.70 грн
100+91.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
1000+146.48 грн
10000+125.30 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInternational RectifierTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
754+121.21 грн
Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF
Код товару: 33009
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
  • 22 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 108350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
1000+146.48 грн
10000+125.30 грн
100000+97.44 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.38 грн
50+110.79 грн
100+100.16 грн
500+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.99 грн
10+115.63 грн
100+91.47 грн
500+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.50 грн
10+143.38 грн
100+128.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.46 грн
92+154.33 грн
101+141.28 грн
500+111.54 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808S
Код товару: 48224
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808SPBF
Код товару: 129658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.19 грн
58+244.80 грн
100+176.54 грн
500+164.94 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.10 грн
107+133.54 грн
250+128.22 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.82 грн
10+235.44 грн
100+164.56 грн
500+146.75 грн
1000+113.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.16 грн
10+180.49 грн
100+126.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.22 грн
10+134.65 грн
25+134.10 грн
100+128.77 грн
250+118.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3808STRLPBF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.17 грн
5+206.77 грн
10+182.39 грн
25+155.50 грн
50+137.84 грн
100+123.56 грн
125+119.35 грн
250+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.40 грн
1600+155.28 грн
2400+149.68 грн
4000+138.27 грн
5600+124.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.64 грн
10+216.81 грн
100+140.35 грн
500+118.01 грн
800+109.63 грн
2400+101.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.56 грн
500+146.75 грн
1000+113.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3CMS17N80SCXInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.89 грн
326+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.89 грн
1000+46.00 грн
10000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.92 грн
10+38.46 грн
100+32.61 грн
500+27.58 грн
1000+25.28 грн
2000+23.39 грн
5000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.72 грн
18+47.66 грн
100+47.33 грн
500+42.66 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 57A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.56 грн
50+37.13 грн
100+36.53 грн
500+28.71 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.89 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207InfineonMOSFET N-CH 40V 95A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DL237Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.98 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesIRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.41 грн
100+171.04 грн
250+131.28 грн
500+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.98 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 201A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+88.03 грн
500+79.23 грн
1000+73.06 грн
10000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+88.03 грн
500+79.23 грн
1000+73.06 грн
10000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+38.77 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 915 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.55 грн
10+53.94 грн
100+35.52 грн
500+25.92 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.47 грн
500+29.96 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.60 грн
202+70.41 грн
299+47.41 грн
500+37.13 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.81 грн
4000+21.13 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+69.78 грн
100+40.08 грн
500+31.49 грн
1000+26.88 грн
2000+24.37 грн
4000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.98 грн
9+52.45 грн
10+46.56 грн
50+34.04 грн
100+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.20 грн
50+62.97 грн
100+41.47 грн
500+29.96 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]