Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN021-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+64.02 грн
100+42.54 грн
500+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.61 грн
203+70.02 грн
231+61.61 грн
500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.42 грн
531+26.72 грн
532+26.66 грн
559+24.46 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.70 грн
4500+38.27 грн
6000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+135.84 грн
1000+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN022-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN022-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+78.99 грн
100+64.82 грн
500+55.16 грн
1000+42.32 грн
2500+42.25 грн
5000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN023-40YLCXNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN023-40YLCXNXPMOSFET N CH 40V 24A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN023-80LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-1000
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100DNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100DPHILIPS03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100D /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100D,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100D,118NXPMOSFET N-CH 100V 47A SOT428 (IRFR3412TR) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 29.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.14 грн
500+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.06 грн
10+159.47 грн
100+111.14 грн
500+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.56 грн
100+33.22 грн
500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.65 грн
12+67.17 грн
100+47.44 грн
500+34.78 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 37A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+58.99 грн
100+33.76 грн
500+23.95 грн
1000+20.57 грн
1500+18.85 грн
3000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.01 грн
3000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.44 грн
500+34.78 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.57 грн
3000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025100DNXP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN026-80YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 47667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+52.48 грн
100+30.17 грн
500+24.30 грн
1000+21.19 грн
1500+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115
Код товару: 125967
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 88500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.37 грн
3000+24.38 грн
7500+24.02 грн
9000+22.74 грн
10500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.76 грн
100+32.11 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 148A
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118NexperiaMOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+103.21 грн
100+70.41 грн
500+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 27092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+86.01 грн
500+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127
Код товару: 180360
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+159.47 грн
1000+151.20 грн
10000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.43 грн
3400+117.35 грн
6800+109.19 грн
10200+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN027-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 27492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+80.18 грн
100+60.89 грн
250+60.34 грн
500+53.98 грн
1000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+86.01 грн
500+74.79 грн
1000+69.69 грн
2500+66.66 грн
10000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 27092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+69.65 грн
250+69.05 грн
500+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Case: SOT78; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 148A
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+86.01 грн
500+75.73 грн
1000+69.69 грн
2500+66.66 грн
10000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100PS127Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN027-100PS - POW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100XS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 29A
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+115.91 грн
100+69.72 грн
500+56.12 грн
1500+39.56 грн
3000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
500+84.51 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+93.41 грн
100+74.33 грн
500+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNexperiaPSMN028-100HSX
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.84 грн
10+177.19 грн
100+109.53 грн
500+84.51 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS
Код товару: 101700
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.35 грн
3000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN028-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+60.81 грн
100+37.21 грн
500+29.55 грн
1000+26.23 грн
1500+24.16 грн
3000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+73.44 грн
50+54.85 грн
100+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 30A, 100V, 0.0275OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2-R2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2-R2-002PanjitMOSFETs TOLL 100V 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201PanjitMOSFETs 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.46 грн
10+233.63 грн
100+167.40 грн
500+130.58 грн
1000+124.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 30A
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+120.67 грн
100+71.11 грн
500+57.44 грн
1000+41.70 грн
1500+41.63 грн
3000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.62 грн
500+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.30 грн
10+153.03 грн
100+121.62 грн
500+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+163.93 грн
50+125.85 грн
100+106.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150B
Код товару: 26445
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150B
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150P
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]