Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.01 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65N
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25Banner EngineeringEthernet Cables / Networking Cables Cordset: Double Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 7.6 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stp25n06
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N06FI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+80.97 грн
177+79.53 грн
185+75.95 грн
200+72.09 грн
1000+64.61 грн
2000+60.90 грн
4000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ 25A STripFET VII
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMMOSFET N-CH 600V 18A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.02 грн
50+128.16 грн
100+115.99 грн
500+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.88 грн
50+159.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50N
Код товару: 40855
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 21,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,150 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NST
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NST..
на замовлення 30001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60N(1236)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60N-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60ND
на замовлення 17839 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2640LF
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.04 грн
100+260.59 грн
500+221.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.58 грн
10+304.96 грн
25+268.59 грн
100+240.82 грн
500+171.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.67 грн
10+202.65 грн
350+123.10 грн
700+107.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.96 грн
10+190.72 грн
100+134.41 грн
500+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N
Код товару: 60496
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.01 грн
10+374.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+214.39 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Technology: MDmesh™ ||
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.69 грн
10+315.43 грн
25+277.55 грн
50+250.37 грн
100+220.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+624.33 грн
46+308.30 грн
100+291.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+669.71 грн
38+378.32 грн
100+315.12 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTTrans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+149.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.74 грн
50+283.87 грн
100+260.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.19 грн
10+379.16 грн
100+315.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+669.01 грн
38+374.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N4F3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMMOSFET N CH 80V 180A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Pulsed drain current: 720A
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 80V 180A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.08 грн
50+176.97 грн
100+166.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP270N8F7WSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2740C94+
на замовлення 27410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2740C0BN/AN/A DIP-8
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2740COB
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2744B
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2744C
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP27N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V 27 A TO 220
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP27N60M2-EPSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.44 грн
10+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.06 грн
50+160.30 грн
100+145.65 грн
500+112.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMMOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2STTrans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+160.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2STMMOSFET N-CH 600V 24A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]