Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.17 грн
10+44.50 грн
50+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10
Код товару: 196973
2 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
у наявності: 72 шт
  • 41 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.66 грн
19+40.73 грн
100+37.65 грн
500+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.80 грн
10+110.32 грн
50+83.95 грн
100+70.82 грн
500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+178.84 грн
10+113.28 грн
100+66.54 грн
500+56.69 грн
1000+50.36 грн
2000+47.68 грн
5000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMЗамена для IRF540 N-кан. MOSFET100V 26A 85W 0.055 Om TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.96 грн
10+97.57 грн
100+71.77 грн
500+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10
Код товару: 1289
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 26 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.72 грн
380+37.64 грн
515+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+97.57 грн
199+71.77 грн
500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10PB-FREE
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF12
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.52 грн
139+102.80 грн
145+98.83 грн
151+91.70 грн
500+82.93 грн
1000+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.09 грн
5+200.99 грн
10+174.52 грн
25+142.26 грн
50+123.24 грн
100+112.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.69 грн
10+102.95 грн
25+98.98 грн
100+91.84 грн
500+83.06 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.25 грн
10+192.05 грн
50+149.31 грн
100+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 621 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+297.57 грн
10+151.53 грн
100+119.37 грн
500+101.76 грн
1000+97.85 грн
5000+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65N
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25Banner EngineeringEthernet Cables / Networking Cables Cordset: Double Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 7.6 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stp25n06
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N06FI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+82.24 грн
177+80.77 грн
185+77.14 грн
200+73.22 грн
1000+65.62 грн
2000+61.86 грн
4000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ 25A STripFET VII
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 188mΩ
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 11.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 471 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+251.14 грн
10+127.53 грн
100+100.46 грн
500+82.19 грн
1000+75.02 грн
2000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.15 грн
10+166.89 грн
50+128.93 грн
100+109.51 грн
500+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EPSTMMOSFET N-CH 600V 18A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.11 грн
50+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+333.34 грн
10+185.29 грн
100+146.77 грн
500+121.98 грн
1000+121.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NST
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50N
Код товару: 40855
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 21,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,150 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60N
на замовлення 30001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60N(1236)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60N-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60ND
на замовлення 17839 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 995 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP260N6F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2640LF
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+318.88 грн
10+162.04 грн
100+110.24 грн
500+104.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+323.03 грн
100+264.68 грн
500+225.32 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.86 грн
10+210.29 грн
50+163.87 грн
350+119.85 грн
700+111.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.88 грн
10+309.74 грн
25+272.80 грн
100+244.60 грн
500+174.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 169W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.48 грн
10+191.09 грн
50+148.40 грн
100+126.37 грн
500+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTTrans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.76 грн
40+359.97 грн
50+356.36 грн
100+313.91 грн
500+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+192.37 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N
Код товару: 60496
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.76 грн
10+359.97 грн
50+356.36 грн
100+313.91 грн
500+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+430.22 грн
7+138.95 грн
19+130.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+703.42 грн
37+396.27 грн
50+392.31 грн
100+341.49 грн
500+278.64 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+692.95 грн
10+390.37 грн
50+386.47 грн
100+336.40 грн
500+274.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.