Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.17 грн
109+129.93 грн
110+128.61 грн
122+112.29 грн
250+103.55 грн
500+99.09 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.34 грн
10+181.97 грн
50+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+187.10 грн
5000+171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.06 грн
10+182.68 грн
100+110.78 грн
500+91.97 грн
2500+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONS/FAIMOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.55 грн
500+97.37 грн
1000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.17 грн
10+129.93 грн
25+128.61 грн
100+112.29 грн
250+103.80 грн
500+99.17 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+155.77 грн
500+153.13 грн
1000+151.81 грн
2500+145.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.67 грн
500+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.44 грн
10+91.35 грн
25+90.43 грн
100+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+70.57 грн
100+57.02 грн
500+49.94 грн
1000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161FairchildTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.1nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.99 грн
25+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.40 грн
5000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.08 грн
10+115.38 грн
100+68.91 грн
500+54.97 грн
1000+50.58 грн
2500+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+110.18 грн
500+99.16 грн
1000+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+102.42 грн
100+69.25 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiMOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.13 грн
10+100.96 грн
100+59.29 грн
500+47.24 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.42 грн
100+63.97 грн
500+47.82 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.31 грн
13+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.25 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8925AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926Aonsemi / FairchildMOSFET SO8,DUAL NCH ENHANCEMENT MODEL FIELD EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928FSCSO-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+58.07 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AONS/FAIДвойной N & P-канальный полевой транзистор Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8928A.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928ANLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.03/0.055 O,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8929AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 52862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934A_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.09 грн
5000+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemi / FairchildMOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.09 грн
5000+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936FDSSOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8936A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 75856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936MXFSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936SFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936S-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8938AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8945FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+200.37 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949Fairchild2N-MOSFET 40V 6A 29mΩ 2W FDS8949 Fairchild TFDS8949
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.89 грн
5000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949UMWDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.39 грн
500+33.89 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
7+66.42 грн
10+58.62 грн
50+43.95 грн
100+39.00 грн
500+29.60 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.76 грн
100+40.28 грн
500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949
Код товару: 162449
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.68 грн
500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
50+69.34 грн
100+47.39 грн
500+33.89 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949UMWDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.12 грн
500+15.11 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiMOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 60310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.04 грн
10+64.74 грн
100+37.34 грн
500+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.62 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]