Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4435DYTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.29 грн
10+45.05 грн
50+32.70 грн
100+28.74 грн
250+24.63 грн
500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.71 грн
14+54.90 грн
100+42.72 грн
500+34.34 грн
1000+29.27 грн
2000+26.23 грн
4000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.71 грн
256+54.90 грн
329+42.72 грн
500+34.34 грн
1000+29.27 грн
2000+26.23 грн
4000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V SinGLE P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.78 грн
14+31.13 грн
50+21.82 грн
100+18.86 грн
500+13.67 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.25 грн
5000+10.78 грн
7500+10.26 грн
12500+9.09 грн
17500+8.76 грн
25000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+34.79 грн
645+21.79 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 169291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 100033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.46 грн
100+19.64 грн
500+14.03 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435TR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436SISOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DYVISHAY09+
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.22 грн
10+58.70 грн
100+39.00 грн
500+28.66 грн
1000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.82 грн
10+75.82 грн
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+109.82 грн
186+75.82 грн
353+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.36 грн
21+36.91 грн
25+36.07 грн
100+33.79 грн
500+30.88 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.8A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+36.96 грн
390+36.12 грн
401+35.08 грн
500+33.39 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DYT1E3VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FDISilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4438 EZRADIOPRO 425-525MHZ TRANSCEIVER - CHINA SI4438
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.01 грн
10+309.24 грн
25+292.63 грн
100+253.26 грн
490+231.66 грн
980+223.13 грн
1470+214.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon Laboratories+20/-124 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.79 грн
11+74.68 грн
25+73.58 грн
50+69.89 грн
100+63.73 грн
250+60.24 грн
500+59.29 грн
1000+58.36 грн
3000+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+158.04 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.87 грн
10+321.10 грн
25+303.81 грн
80+266.21 грн
230+250.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.04 грн
6+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.79 грн
25+74.68 грн
50+70.95 грн
100+64.72 грн
250+61.18 грн
500+60.24 грн
1000+59.29 грн
3000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2B-GMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2B-GMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C3A-GMSilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C3A-GMRSilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3module
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EDYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EY-T1-E3
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-E3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; SI4442DY TSI4442dy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 22A 3.5W
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.68 грн
124+113.68 грн
125+112.53 грн
127+107.43 грн
138+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.75 грн
10+173.82 грн
100+140.60 грн
500+117.29 грн
1000+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.64 грн
5000+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.68 грн
10+113.68 грн
25+112.53 грн
50+107.43 грн
100+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DYVishay SemiconductorMOSFET N-канал, Rds 40mOm, Vdss В 40, Id 3.9, Ptot, Вт 1.1,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4447ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.62 грн
5000+14.71 грн
7500+14.05 грн
12500+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.62 грн
5000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 35288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]