Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF40H210Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 201A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H210Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.64 грн
500+78.88 грн
1000+72.73 грн
10000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.64 грн
500+78.88 грн
1000+72.73 грн
10000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.00 грн
7+61.75 грн
10+53.64 грн
50+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+53.70 грн
100+35.36 грн
500+25.80 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+38.60 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 915 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.71 грн
4000+21.03 грн
6000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.19 грн
202+70.10 грн
299+47.20 грн
500+36.97 грн
1000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1
Код товару: 196216
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 19799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
1000+189.34 грн
10000+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1InfineonN-Channel 40 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.24 грн
55+260.94 грн
59+240.52 грн
100+219.93 грн
500+197.20 грн
1000+183.02 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104
Код товару: 99473
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/68
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.39 грн
500+90.35 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+94.48 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 225204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.39 грн
500+90.35 грн
1000+83.34 грн
10000+71.63 грн
100000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.35 грн
10+74.47 грн
50+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.78 грн
106+133.67 грн
144+98.27 грн
500+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104S
Код товару: 99474
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/68
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 13156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
10000+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFInternational RectifierТранзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 140Вт; D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4105IR98+
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4105SIRTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4110IRTO-220 07+
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF415AIOR
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF41N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF420Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF420IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF420PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4243LDF2IOR2007
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4243LDF2-10IOR2007
на замовлення 3266 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4243LDF2-12IOR2007
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4243LDF2-8IOR2007
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF42N03LIR2002 TO-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF430International RectifierDescription: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF430Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF430International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF430PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF431Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF431International RectifierDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF432International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF433HARRISIRF433
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+185.81 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF433International RectifierDescription: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF433Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Power Dissipation (Max): 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4332PBFIR09+ TSSOP 20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF440International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF440Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF440PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF440SCXInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF441International RectifierDescription: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF441IR/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4410TRPBFIOR
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF442Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF442119UHarris CorporationDescription: 7A, 500V, 1.1OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+122.70 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF442119UHARRISIRF442119U
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+151.70 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4427IOR01+ SOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF443International RectifierDescription: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]