Продукція > si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.45 грн
13+33.85 грн
50+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.62 грн
7500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 39510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435TR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436SISOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DYVISHAY09+
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.80 грн
186+76.50 грн
353+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.22 грн
184+77.43 грн
349+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.99 грн
10+58.57 грн
100+38.90 грн
500+28.59 грн
1000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.22 грн
10+77.43 грн
100+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+37.29 грн
390+36.44 грн
401+35.39 грн
500+33.69 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.71 грн
21+37.24 грн
25+36.39 грн
100+34.09 грн
500+31.16 грн
1000+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.8A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DYT1E3VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FDISilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.34 грн
10+424.68 грн
25+399.55 грн
100+343.02 грн
490+311.30 грн
980+298.91 грн
1470+287.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4438 EZRADIOPRO 425-525MHZ TRANSCEIVER - CHINA SI4438
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMSilicon Laboratories+20/-124 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.47 грн
11+75.35 грн
25+74.24 грн
50+70.52 грн
100+64.30 грн
250+60.78 грн
500+59.83 грн
1000+58.88 грн
3000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-B1C-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.46 грн
6+130.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.34 грн
10+424.68 грн
25+399.55 грн
100+343.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.46 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.47 грн
25+75.35 грн
50+71.59 грн
100+65.30 грн
250+61.73 грн
500+60.78 грн
1000+59.83 грн
3000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2B-GMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C2B-GMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C3A-GMSilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438-C3A-GMRSilicon LabsRF Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3module
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4438DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EDYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4441EY-T1-E3
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-E3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; SI4442DY TSI4442dy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.40 грн
5000+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 22A 3.5W
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.25 грн
28+27.37 грн
50+25.96 грн
100+23.64 грн
250+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.25 грн
10+173.40 грн
100+140.27 грн
500+117.02 грн
1000+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DYVishay SemiconductorMOSFET N-канал, Rds 40mOm, Vdss В 40, Id 3.9, Ptot, Вт 1.1,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.11 грн
50+30.26 грн
100+25.11 грн
500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 29868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.59 грн
10+43.63 грн
100+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4447ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+29.03 грн
507+27.98 грн
1000+27.07 грн
2500+25.33 грн
5000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
7500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 25663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.93 грн
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.