Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC120N03SGINFINEON07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+94.16 грн
100+76.83 грн
500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3 G(транзистор)
Код товару: 67370
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.49 грн
10+74.62 грн
50+57.67 грн
100+51.94 грн
250+45.04 грн
500+39.72 грн
1000+35.07 грн
2500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.51 грн
15000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 21396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.48 грн
50+58.12 грн
100+48.67 грн
500+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 16519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.79 грн
100+69.24 грн
500+51.89 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.69 грн
500+89.72 грн
1000+82.73 грн
10000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.69 грн
500+89.72 грн
1000+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.84 грн
50+69.37 грн
100+58.30 грн
500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LS GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LS GInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+160.65 грн
1000+151.20 грн
10000+137.83 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.70 грн
10+174.78 грн
100+123.17 грн
500+94.92 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.28 грн
57+251.37 грн
100+237.20 грн
200+167.67 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+160.65 грн
1000+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5Infineon TechnologiesBSC146N10LS5
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.89 грн
107+133.63 грн
250+128.27 грн
500+119.23 грн
1000+106.79 грн
2500+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 121899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+98.64 грн
50+74.62 грн
100+62.75 грн
500+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD GINFINEONQFN
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDG
Код товару: 127155
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1InfineonBSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 47379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.44 грн
50+40.37 грн
100+33.62 грн
500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.19 грн
13+60.76 грн
25+60.61 грн
100+42.30 грн
250+38.78 грн
500+30.83 грн
1000+26.15 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.52 грн
15000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.61 грн
324+43.87 грн
327+43.43 грн
500+34.68 грн
1000+27.24 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+151.20 грн
1000+139.39 грн
10000+119.60 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC152N10NSFG - BSC152N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.54 грн
10+146.66 грн
50+112.58 грн
100+95.33 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.83 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.02 грн
165+86.15 грн
199+71.56 грн
250+68.63 грн
500+57.31 грн
1000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.15 грн
10+87.02 грн
25+86.15 грн
100+69.01 грн
250+63.54 грн
500+55.02 грн
1000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 : SP005825839InfineonBSC152N15LS5ATMA1 : SP005825839 BSC152N15LS5ATMA1 N-Channel 150 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDInfineon TechnologiesBSC155N06ND
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.87 грн
102+139.35 грн
250+133.76 грн
500+124.32 грн
1000+111.36 грн
2500+103.74 грн
5000+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.