Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.78 грн
100+62.42 грн
500+46.78 грн
1000+42.99 грн
2000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.47 грн
500+89.52 грн
1000+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.47 грн
500+89.52 грн
1000+82.55 грн
10000+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
10+109.73 грн
100+74.38 грн
500+55.17 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.97 грн
100+52.38 грн
500+38.85 грн
1000+35.53 грн
2000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.32 грн
500+40.61 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+99.17 грн
100+67.71 грн
500+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LS GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LS GInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC130P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.65 грн
250+149.56 грн
1000+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
10+176.39 грн
100+124.31 грн
500+95.80 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
10000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+311.32 грн
50+205.65 грн
250+149.56 грн
1000+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.45 грн
57+250.81 грн
100+236.67 грн
200+167.30 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5Infineon TechnologiesBSC146N10LS5
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.58 грн
107+133.34 грн
250+127.99 грн
500+118.96 грн
1000+106.56 грн
2500+99.27 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.12 грн
10000+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
50+70.96 грн
250+61.61 грн
1000+49.44 грн
3000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 10102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+74.35 грн
25+70.13 грн
100+60.36 грн
250+57.09 грн
500+54.78 грн
1000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
250+61.61 грн
1000+49.44 грн
3000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD GINFINEONQFN
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDG
Код товару: 127155
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
15+55.76 грн
100+36.74 грн
500+26.64 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.48 грн
324+43.77 грн
327+43.34 грн
500+34.61 грн
1000+27.18 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 49295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+54.72 грн
100+36.09 грн
500+26.36 грн
1000+23.94 грн
2000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.81 грн
10000+19.55 грн
15000+18.82 грн
25000+16.88 грн
35000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.00 грн
13+60.63 грн
25+60.48 грн
100+42.21 грн
250+38.69 грн
500+30.76 грн
1000+26.10 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGInfineonMOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+101.60 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC152N10NSFG - BSC152N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+99.98 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+150.86 грн
1000+139.08 грн
10000+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N10NSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.44 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.82 грн
165+85.95 грн
199+71.41 грн
250+68.47 грн
500+57.18 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.93 грн
10+86.82 грн
25+85.95 грн
100+68.86 грн
250+63.40 грн
500+54.89 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.28 грн
500+60.01 грн
1000+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.65 грн
100+67.08 грн
500+50.25 грн
1000+46.17 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.52 грн
10+119.49 грн
100+81.28 грн
500+60.01 грн
1000+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 : SP005825839 BSC152N15LS5ATMA1InfineonN-Channel 150 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDInfineon TechnologiesBSC155N06ND
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.55 грн
102+139.04 грн
250+133.46 грн
500+124.05 грн
1000+111.11 грн
2500+103.51 грн
5000+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.31 грн
100+59.58 грн
500+44.34 грн
1000+40.62 грн
2000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.47 грн
500+42.95 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1064+13.30 грн
1080+13.10 грн
1098+12.89 грн
1116+12.23 грн
1134+11.14 грн
1153+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
11+77.63 грн
100+57.47 грн
500+42.95 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.29 грн
56+13.51 грн
57+13.30 грн
58+12.63 грн
100+11.51 грн
250+10.87 грн
500+10.69 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSF GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSF GINFINEONDescription: INFINEON - BSC159N10LSF G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.98 грн
13+64.30 грн
100+63.08 грн
500+57.44 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
10000+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.89 грн
201+70.59 грн
500+56.77 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]