Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7463DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DPVISHAYSO-8
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+74.66 грн
100+63.93 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.74 грн
10+101.74 грн
25+101.06 грн
100+84.37 грн
250+78.09 грн
500+70.50 грн
1000+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.92 грн
10+106.13 грн
100+84.52 грн
500+67.11 грн
1000+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DPVISHAY10+ SMD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 124527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.00 грн
18000+71.28 грн
27000+66.32 грн
36000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3Vishay
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.84 грн
10+66.03 грн
100+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3
Код товару: 199543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.23 грн
202+69.89 грн
240+58.87 грн
250+56.43 грн
500+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 37655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.66 грн
10+84.41 грн
50+63.51 грн
100+53.28 грн
500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayMOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.26 грн
11+70.23 грн
25+69.89 грн
100+56.76 грн
250+52.25 грн
500+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.70 грн
9000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+49.98 грн
286+49.36 грн
290+48.73 грн
294+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.38 грн
10+77.94 грн
100+52.41 грн
500+38.93 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.62 грн
16+49.98 грн
25+49.36 грн
100+46.99 грн
250+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7469ADPVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7469ADPVishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.25 грн
10+119.38 грн
100+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 73.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 73.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0161
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DPVISHAY09+
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 21982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 69694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3
Код товару: 184248
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 21982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 51612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.05 грн
10+154.28 грн
100+107.35 грн
500+81.92 грн
1000+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 92703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 48403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.01 грн
10+156.71 грн
50+120.68 грн
100+102.36 грн
500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.69 грн
9000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 транзистор
Код товару: 197166
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI746DP-T1-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DPVISHAY09+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3VISHAY06NOPB
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DPVISHAY09+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7478DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.88 грн
100+114.36 грн
500+87.47 грн
1000+81.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7478DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.78 грн
69+205.80 грн
100+195.22 грн
500+155.36 грн
1000+119.70 грн
2000+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483A
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]