Продукція > si3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3420A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
16+18.88 грн
100+9.10 грн
500+7.98 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+8.00 грн
9000+7.77 грн
15000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+8.00 грн
9000+7.77 грн
15000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
9000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.09 грн
15+29.18 грн
18+24.04 грн
100+11.44 грн
500+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C~150°C; (similar to SI3420A-13P) SI3420A-TP TSI3420A-TP
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.57 грн
9000+7.72 грн
24000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
9000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
6000+8.32 грн
9000+7.72 грн
24000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+8.00 грн
9000+7.77 грн
15000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.31 грн
50+37.29 грн
100+24.35 грн
500+17.31 грн
1500+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 34616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.09 грн
100+24.04 грн
500+17.29 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.35 грн
500+17.31 грн
1500+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
6000+13.15 грн
9000+12.56 грн
15000+11.17 грн
21000+10.80 грн
30000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
12+35.40 грн
50+24.46 грн
100+20.89 грн
500+14.92 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3423DV
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424BDV
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
10+34.70 грн
100+24.12 грн
500+17.67 грн
1000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.28 грн
39+19.38 грн
40+19.33 грн
100+17.23 грн
250+15.91 грн
500+14.17 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
14+21.71 грн
100+14.70 грн
500+10.77 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP N CHAN 30V
на замовлення 56259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 351084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.22 грн
38+21.62 грн
100+13.66 грн
500+11.27 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
48000+15.32 грн
72000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 86012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.54 грн
100+17.63 грн
500+12.54 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.62 грн
6000+9.34 грн
9000+8.89 грн
15000+7.87 грн
21000+7.59 грн
30000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.66 грн
500+11.27 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DVVISHAY
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1Vishay SiliconixTSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1VISHAYSOT23-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3425DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.98 грн
35+21.69 грн
36+21.50 грн
50+20.55 грн
100+12.12 грн
250+10.99 грн
500+10.91 грн
1000+10.18 грн
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
12+25.97 грн
100+13.15 грн
500+11.71 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.50 грн
500+11.94 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+31.53 грн
815+17.36 грн
1209+11.70 грн
3000+10.22 грн
9000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.80 грн
29+28.05 грн
100+13.50 грн
500+11.94 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DVVISAHRY
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 77522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.64 грн
100+48.07 грн
500+35.65 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3VISHAY1036+ TSOP6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.64 грн
100+48.07 грн
500+35.65 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSOP6 100V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.80 грн
6000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3
Код товару: 217243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1-E3VISHAY07NPB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
10+31.19 грн
100+21.71 грн
500+15.54 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 5.2A
на замовлення 119453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]