Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.91 грн
6000+67.84 грн
9000+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiMOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 42665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+107.02 грн
100+73.01 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S-SN00345onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.79 грн
100+112.58 грн
500+86.28 грн
1000+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672onsemiMOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+208.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.63 грн
10+206.41 грн
50+160.91 грн
100+137.25 грн
500+118.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LCOn SemiconductorN-Channel 19A (Ta), 136A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CL IP
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 21834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.35 грн
50+38.84 грн
100+32.36 грн
500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.92 грн
6000+43.96 грн
9000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.99 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.22 грн
10+48.20 грн
50+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiMOSFETs ST3 PCH Z 30/25V PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.48 грн
72+198.07 грн
73+196.09 грн
100+187.99 грн
250+173.14 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
10+229.67 грн
100+164.34 грн
500+148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.25 грн
500+223.26 грн
1000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.48 грн
10+198.07 грн
25+196.09 грн
100+187.99 грн
250+173.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.25 грн
500+223.26 грн
1000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+166.33 грн
50+128.56 грн
100+109.24 грн
500+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+99.32 грн
100+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiMOSFETs 80V 116A 4.2mOhm
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512GEC-5700Flexxon Pte LtdDescription: SD EXPRESS SD 512GB 3D TLC COMME
Packaging: Tray
Memory Size: 512GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29243.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512GEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: FXMAV SD 512GB QLC COMMERCIAL GR
Packaging: Tray
Memory Size: 512GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: QLC
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7767.89 грн
10+6734.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512MSE-N300Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 512MB SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 512MB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2019.25 грн
10+1726.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+212.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.63 грн
6000+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+147.78 грн
100+112.58 грн
500+92.11 грн
1000+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+148.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.73 грн
6000+119.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 300036000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 432836000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5361L-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 28859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.