Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS36101L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 100V 26 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3610SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3610SON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook NVDC/Server
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.09 грн
10+88.81 грн
100+71.95 грн
500+61.71 грн
1000+47.44 грн
3000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3615S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON Semiconductor / FairchildMOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3615SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 28532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 28532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.76 грн
10+130.18 грн
25+128.87 грн
100+100.80 грн
250+92.36 грн
500+76.38 грн
1000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.95 грн
10+87.63 грн
100+74.17 грн
500+63.35 грн
1000+50.57 грн
3000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3622SON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, 59nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V, 5mOhm @ 17.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @13V, 4045pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V PowerTrench Power Stage
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.70 грн
10+123.99 грн
25+122.76 грн
100+95.88 грн
250+87.94 грн
500+72.55 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626SON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+95.05 грн
100+67.49 грн
500+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASON Semiconductor / FairchildMOSFET COMPUTING MOSFET
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S
Код товару: 104042
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.16 грн
10+118.39 грн
100+100.67 грн
500+71.57 грн
1000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.73 грн
187+76.17 грн
500+73.36 грн
3000+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 7911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+129.40 грн
100+78.70 грн
500+59.16 грн
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.26 грн
24+31.74 грн
25+29.62 грн
100+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+96.62 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
10+105.53 грн
25+91.41 грн
100+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 111815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
100000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+84.15 грн
100+61.72 грн
500+61.16 грн
1000+55.23 грн
3000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S_F121ON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerTrench PowerStage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+163.71 грн
100+114.80 грн
500+95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+150.84 грн
100+94.58 грн
1000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+90.25 грн
500+81.22 грн
1000+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+69.10 грн
100+56.00 грн
500+44.48 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.49 грн
10+68.97 грн
25+61.49 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+72.40 грн
100+50.60 грн
500+42.80 грн
1000+37.42 грн
3000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+90.25 грн
500+81.22 грн
1000+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.08 грн
6000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+95.27 грн
100+57.92 грн
500+46.05 грн
1000+39.56 грн
3000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 243995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668Sonsemi / FairchildMOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+138.93 грн
25+113.91 грн
100+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+111.14 грн
100+66.48 грн
500+54.47 грн
1000+49.57 грн
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiMOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 42680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+122.26 грн
100+73.18 грн
500+58.33 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+107.02 грн
100+73.01 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.91 грн
6000+67.84 грн
9000+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.15 грн
6000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S-SN00345onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+208.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 9211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+149.25 грн
100+95.27 грн
500+90.43 грн
1000+82.15 грн
3000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]