Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7483ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483DPVISHAY09+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483DP-T1VISHAY0347+
на замовлення 11849 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483DP-T1-E3VISHAY0422+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 20A 5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DPVISHAY10+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.94 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.94 грн
10+135.97 грн
100+119.37 грн
250+114.11 грн
500+99.26 грн
1000+89.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.30 грн
10+157.45 грн
100+109.54 грн
500+83.60 грн
1000+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+141.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.52 грн
10+156.70 грн
100+109.02 грн
500+83.19 грн
1000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Мікропроцесори, мікроконтролери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 69222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3(транзистор)
Код товару: 53382
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7495DPVISHAY09+
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7495DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7495DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI749CAD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7500
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1VISHAY0508+ QFN
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DV
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI750X3Belden Inc.Description: 2 PIECE X SERIES SPLICE CONNEC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 16112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.56 грн
10+91.54 грн
25+91.00 грн
100+81.20 грн
250+74.14 грн
500+64.85 грн
1000+63.69 грн
3000+62.53 грн
6000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.56 грн
155+91.54 грн
156+91.00 грн
168+81.20 грн
250+74.14 грн
500+64.85 грн
1000+63.69 грн
3000+62.53 грн
6000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
10+108.42 грн
100+74.12 грн
500+55.78 грн
1000+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DPVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DPVISHAY09+
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1Vishay728
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDual MOSFETs N-and P-CHANNEL 30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540DP-T1-GE3 - MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERP
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7600JAPAN
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7601DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7601DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7606DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GEVishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.32 грн
6000+44.52 грн
9000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.54 грн
6000+63.49 грн
9000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.98 грн
6000+73.08 грн
12000+68.00 грн
18000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.04 грн
6000+77.28 грн
9000+76.51 грн
15000+73.04 грн
24000+66.94 грн
30000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 35968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.03 грн
10+106.41 грн
100+72.56 грн
500+54.49 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 40728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.09 грн
6000+27.86 грн
9000+26.80 грн
15000+24.03 грн
21000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.28 грн
289+49.01 грн
291+48.75 грн
325+41.97 грн
329+38.47 грн
500+33.79 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.12 грн
322+44.01 грн
500+43.28 грн
1000+41.62 грн
2000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 25857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.19 грн
100+47.49 грн
500+35.05 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.72 грн
15+50.77 грн
25+50.50 грн
50+48.43 грн
100+39.61 грн
250+37.65 грн
500+34.43 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+52.68 грн
100+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]