Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF4905S-111
Код товару: 15209
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBF
Код товару: 98720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBFIRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905SPBFInternational RectifierD2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL
Код товару: 196490
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 42A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRL-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,5mOhm; 85A; 139W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL-CN CHIPNOBO TIRF4905s CNB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.92 грн
1600+120.70 грн
2400+119.49 грн
4000+114.07 грн
5600+94.19 грн
8000+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
36+88.45 грн
108+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.10 грн
10+148.95 грн
25+128.86 грн
50+115.48 грн
100+104.60 грн
250+92.05 грн
500+84.51 грн
800+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.24 грн
1600+90.98 грн
2400+87.67 грн
4000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.67 грн
1600+132.88 грн
2400+127.88 грн
4000+117.91 грн
5600+106.22 грн
8000+99.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInternational RectifierD2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.87 грн
1600+118.66 грн
2400+117.48 грн
4000+112.15 грн
5600+92.59 грн
8000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF
Код товару: 173205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineonMOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.45 грн
10+210.99 грн
100+154.49 грн
800+118.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+300.45 грн
67+210.99 грн
100+154.49 грн
800+118.23 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.11 грн
10+178.79 грн
100+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.60 грн
1600+135.60 грн
2400+130.50 грн
4000+120.32 грн
5600+108.39 грн
8000+101.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFJSMSEMID2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRPBFIR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF
Код товару: 176581
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFIRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
1000+129.36 грн
10000+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFIRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4H450IRMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4PC50UDInternational RectifierIGBT N-CH, Vces=600V, Ic=27A, Vce(on)=1.65V, TO-247AC, -55...+150 Транзистори
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+611.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SiliconixTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.56 грн
182+77.84 грн
250+69.15 грн
500+60.71 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.00 грн
10+50.63 грн
50+46.94 грн
100+43.18 грн
250+38.32 грн
500+34.89 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.25 грн
213+66.28 грн
217+65.31 грн
500+53.43 грн
1000+43.62 грн
2000+38.01 грн
5000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 5,6 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.65 грн
50+66.61 грн
100+65.64 грн
500+53.69 грн
1000+43.85 грн
2000+38.20 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 30002
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.74 грн
50+92.33 грн
100+83.07 грн
500+62.71 грн
1000+57.81 грн
2000+53.69 грн
5000+48.43 грн
10000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.68 грн
50+65.66 грн
100+64.70 грн
500+52.84 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.68 грн
215+65.66 грн
219+64.70 грн
500+52.84 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 83 шт
  • 44 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
50+69.27 грн
100+62.03 грн
500+46.26 грн
1000+42.42 грн
2000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SSiliconixN-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.56 грн
167+84.95 грн
250+79.29 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.95 грн
50+63.31 грн
100+59.24 грн
500+56.86 грн
1000+47.22 грн
2000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.63 грн
225+62.99 грн
240+58.94 грн
500+56.58 грн
1000+46.99 грн
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 13834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.17 грн
50+91.64 грн
100+82.43 грн
500+62.21 грн
1000+57.34 грн
2000+53.25 грн
5000+48.02 грн
10000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+103.90 грн
138+102.87 грн
159+89.27 грн
500+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.68 грн
50+99.67 грн
100+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.96 грн
10+56.15 грн
50+49.70 грн
100+47.11 грн
250+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]