Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS5362L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LF085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemiMOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+189.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.98 грн
10+199.68 грн
100+141.81 грн
500+124.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+212.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.52 грн
250+86.61 грн
500+84.94 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.30 грн
10+103.27 грн
100+83.50 грн
500+69.34 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 12.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.61 грн
500+77.05 грн
1000+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemiMOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.19 грн
25+39.79 грн
100+37.39 грн
250+34.27 грн
500+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+98.72 грн
50+74.83 грн
100+62.98 грн
500+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.30 грн
138+103.27 грн
170+83.50 грн
500+69.34 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.19 грн
357+39.79 грн
366+38.77 грн
370+37.01 грн
500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 21.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 27826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 11122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 27826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z-PON SemiconductorFDMS6681Z-P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.48 грн
500+110.56 грн
1000+104.42 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 583774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7556S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 582000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 583774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7558SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7558SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/49A 8PQFN
на замовлення 11404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7560S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
на замовлення 17297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
на замовлення 81825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7572S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7578ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7578onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+91.99 грн
100+71.59 грн
500+56.94 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7600ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7600ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.33 грн
10+108.76 грн
25+107.67 грн
100+75.64 грн
250+69.34 грн
500+56.31 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.21 грн
6000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.56 грн
500+81.50 грн
1000+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.53 грн
100+64.02 грн
500+47.83 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.76 грн
132+107.67 грн
181+78.44 грн
250+74.89 грн
500+58.66 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.68 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.12 грн
6000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.35 грн
25+48.57 грн
100+46.09 грн
250+41.99 грн
500+39.65 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.68 грн
1000+58.73 грн
10000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608Sonsemi / FairchildMOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 26301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+67.08 грн
100+52.19 грн
500+41.51 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.88 грн
6000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2/2.5W
Gate charge: 24/30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22/30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20/±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.35 грн
292+48.57 грн
297+47.80 грн
302+45.35 грн
500+41.30 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.22 грн
6000+32.30 грн
9000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.04 грн
100+55.48 грн
500+41.38 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.15 грн
6000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.09 грн
100+48.41 грн
500+35.90 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7621SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.