Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+100.27 грн
500+90.25 грн
1000+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.54 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.20 грн
10+253.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 222800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+100.27 грн
500+90.25 грн
1000+83.24 грн
10000+71.56 грн
100000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LCON Semiconductor
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.64 грн
10+201.48 грн
100+142.43 грн
500+110.03 грн
1000+103.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CL IP
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.19 грн
10+211.97 грн
100+130.47 грн
500+112.53 грн
1000+105.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.57 грн
17+49.13 грн
100+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.92 грн
6000+43.96 грн
9000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 921 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+55.18 грн
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.33 грн
10+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.91 грн
100+32.23 грн
500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiMOSFETs ST3 PCH Z 30/25V PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.48 грн
72+198.07 грн
73+196.09 грн
100+187.99 грн
250+173.14 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.25 грн
500+223.26 грн
1000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+228.64 грн
100+163.61 грн
500+151.18 грн
3000+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.85 грн
10+318.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.48 грн
10+198.07 грн
25+196.09 грн
100+187.99 грн
250+173.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.25 грн
500+223.26 грн
1000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
10+229.67 грн
100+164.34 грн
500+148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08CONN
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.22 грн
10+141.20 грн
100+98.25 грн
500+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+150.05 грн
100+91.12 грн
500+78.70 грн
3000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.95 грн
500+101.71 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN8
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+99.32 грн
100+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+117.59 грн
100+111.95 грн
500+101.71 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCON Semiconductor
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LConsemiMOSFETs 80V 116A 4.2mOhm
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+146.08 грн
100+95.27 грн
500+84.22 грн
1000+77.32 грн
3000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512GEC-5700Flexxon Pte LtdDescription: SD EXPRESS SD 512GB 3D TLC COMME
Part Status: Active
Technology: QLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512GB
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29243.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512GEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: FXMAV SD 512GB QLC COMMERCIAL GR
Part Status: Active
Technology: QLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512GB
Packaging: Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7767.89 грн
10+6734.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS512MSE-N300Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 512MB SLC
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512MB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2019.25 грн
10+1726.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.63 грн
6000+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+147.78 грн
100+112.58 грн
500+92.11 грн
1000+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+119.88 грн
100+94.58 грн
500+90.43 грн
1000+84.91 грн
3000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.73 грн
6000+119.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 300036000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
на замовлення 432836000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5361L-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 28859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 1144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362LF085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.25 грн
10+218.96 грн
25+175.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+212.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+189.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.98 грн
10+199.68 грн
100+141.81 грн
500+124.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+267.25 грн
65+218.96 грн
81+175.30 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.37 грн
10+191.33 грн
100+126.33 грн
500+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]