Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF520NInfineonN-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NL
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInternational RectifierMFET N-CH 100 V 9.7A 0.2 A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.55 грн
463+30.62 грн
500+28.47 грн
1000+25.76 грн
4000+23.03 грн
10000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF
Код товару: 55824
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.98 грн
50+54.95 грн
100+48.91 грн
500+35.92 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+86.73 грн
100+49.86 грн
500+39.17 грн
1000+33.45 грн
2000+30.31 грн
5000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.96 грн
227+62.54 грн
251+56.63 грн
500+44.05 грн
1000+34.53 грн
4000+30.47 грн
10000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 96566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.86 грн
18+45.62 грн
100+41.30 грн
500+24.59 грн
1000+22.14 грн
5000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.44 грн
24+31.70 грн
100+30.77 грн
500+27.58 грн
1000+23.97 грн
4000+22.22 грн
10000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.27 грн
15+29.92 грн
25+28.66 грн
50+27.57 грн
100+26.39 грн
250+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF/IRIR08+;
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.05 грн
10+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.53 грн
152+93.38 грн
187+75.91 грн
200+68.54 грн
1600+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.27 грн
10+111.62 грн
100+76.11 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRR
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.76 грн
202+70.33 грн
227+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.82 грн
16+49.99 грн
100+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.04 грн
181+78.45 грн
250+66.94 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFТранзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 37A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.60 грн
10+53.46 грн
50+48.75 грн
100+42.95 грн
250+36.65 грн
500+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.78 грн
233+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF
Код товару: 216814
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 96 шт
  • 66 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+29.00 грн
10+26.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.93 грн
12+68.10 грн
100+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 156292
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 3 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 23704
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 9.2A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
12+69.00 грн
25+65.25 грн
50+57.26 грн
100+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.47 грн
50+80.09 грн
100+71.89 грн
500+54.00 грн
1000+49.66 грн
2000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.05 грн
10+65.45 грн
100+46.78 грн
500+37.99 грн
1000+33.94 грн
2000+30.86 грн
5000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 9.2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.47 грн
50+63.29 грн
100+56.60 грн
500+42.09 грн
1000+38.54 грн
2000+35.56 грн
5000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.50 грн
176+80.97 грн
194+73.38 грн
500+57.78 грн
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.68 грн
11+80.57 грн
100+60.61 грн
500+45.84 грн
1000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.50 грн
50+80.97 грн
100+73.38 грн
500+57.78 грн
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VL
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 25969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 23832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
10000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210HRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.14 грн
10+123.56 грн
25+107.59 грн
50+98.34 грн
100+89.09 грн
500+74.81 грн
1000+69.76 грн
1250+68.08 грн
2000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+122.11 грн
127+112.36 грн
143+99.79 грн
500+96.02 грн
1000+80.83 грн
2000+76.82 грн
5000+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.59 грн
81+176.59 грн
100+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.92 грн
100+222.93 грн
500+182.67 грн
1000+163.67 грн
2000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 194 шт
  • 188 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.36 грн
10+115.68 грн
100+105.09 грн
500+77.16 грн
1000+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.65 грн
50+164.06 грн
100+148.73 грн
500+114.37 грн
1000+106.27 грн
2000+99.46 грн
5000+90.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.13 грн
10+169.44 грн
100+102.65 грн
500+86.59 грн
1000+79.60 грн
2000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.86 грн
50+113.05 грн
100+100.41 грн
500+96.60 грн
1000+81.33 грн
2000+77.30 грн
5000+76.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.39 грн
500+50.15 грн
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.71 грн
10+96.94 грн
100+66.39 грн
500+50.15 грн
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]