Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK7M6R3-40EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+54.38 грн
100+31.07 грн
500+24.37 грн
1000+21.40 грн
1500+18.85 грн
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EXNXPN-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.89 грн
3000+27.37 грн
9000+25.32 грн
24000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R3-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+54.54 грн
100+31.20 грн
500+24.51 грн
1000+21.54 грн
1500+18.92 грн
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+58.26 грн
100+40.60 грн
500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 69A
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.28 грн
100+26.51 грн
500+20.78 грн
1000+18.29 грн
1500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.20 грн
200+54.82 грн
500+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 69A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.60 грн
10+101.48 грн
50+71.20 грн
200+54.82 грн
500+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.30 грн
100+41.36 грн
500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.28 грн
100+34.42 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
10+107.12 грн
100+66.20 грн
500+55.94 грн
1000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+56.13 грн
100+32.17 грн
500+23.95 грн
1000+15.95 грн
1500+14.57 грн
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 33490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+45.04 грн
1000+41.54 грн
10000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R5-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.20 грн
500+55.94 грн
1000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.16 грн
20+38.82 грн
25+38.42 грн
50+36.68 грн
100+22.30 грн
250+21.18 грн
500+16.39 грн
1000+14.03 грн
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 9.9 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.62 грн
100+24.43 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.42 грн
373+38.04 грн
568+24.98 грн
574+23.83 грн
742+17.08 грн
1000+14.03 грн
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.76 грн
200+53.17 грн
500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.23 грн
100+39.26 грн
500+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+86.18 грн
50+71.76 грн
200+53.17 грн
500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.19 грн
100+36.38 грн
500+28.44 грн
1000+24.58 грн
1500+22.57 грн
3000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.50 грн
3000+24.38 грн
4500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M9R9-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q4R9-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
13+65.88 грн
100+43.41 грн
500+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q4R9-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.41 грн
500+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q4R9-40HJNexperiaMOSFETs BUK7Q4R9-40H/SOT8002 /MLPAK33
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+48.27 грн
100+27.61 грн
500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q6R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q6R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 6000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q6R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q6R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 6000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
11+79.90 грн
100+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q6R0-40HJNexperiaMOSFETs BUK7Q6R0-40H/SOT8002 /MLPAK33
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+58.35 грн
100+31.62 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q7R5-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q7R5-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 55 A, 7500 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.57 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q7R5-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Q7R5-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 55 A, 7500 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
12+70.15 грн
100+43.57 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q7R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1669 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q7R5-40HJNexperiaMOSFETs BUK7Q7R5-40H/SOT8002 /MLPAK33
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+51.29 грн
100+27.75 грн
500+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q7R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1669 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+33.06 грн
100+21.38 грн
500+15.35 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Q9R5-40HJNexperiaMOSFETs BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
1000+12.50 грн
3000+10.63 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R5-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S0R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+786.07 грн
50+617.74 грн
100+481.63 грн
500+383.66 грн
1000+347.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R5-40HJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 500A
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.73 грн
10+426.32 грн
100+286.49 грн
500+182.94 грн
1000+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.81 грн
10+381.71 грн
50+304.05 грн
100+261.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R5-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S0R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+786.07 грн
50+617.74 грн
100+481.63 грн
500+383.66 грн
1000+347.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.35 грн
10+284.49 грн
100+205.31 грн
500+161.01 грн
1000+156.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.42 грн
10+763.52 грн
100+490.49 грн
500+376.93 грн
1000+341.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 425A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+173.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+763.52 грн
100+490.49 грн
500+376.93 грн
1000+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R7-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+408.71 грн
100+388.63 грн
500+367.37 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R9-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.19 грн
10+277.45 грн
25+269.42 грн
50+232.92 грн
100+213.47 грн
250+188.49 грн
500+175.53 грн
1000+167.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R9-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12888 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S0R9-40HJNexperiaMOSFET 40V N-CHANNEL STD LEVEL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
50+153.83 грн
100+142.56 грн
500+131.62 грн
1000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.33 грн
42+341.05 грн
43+334.06 грн
50+284.67 грн
100+248.23 грн
250+235.87 грн
500+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+163.54 грн
2000+142.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.48 грн
95+149.57 грн
96+148.08 грн
97+141.96 грн
117+108.72 грн
250+104.18 грн
500+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+175.23 грн
100+141.43 грн
500+120.85 грн
1000+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.56 грн
500+131.62 грн
1000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R0-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.48 грн
10+149.57 грн
25+148.08 грн
50+141.96 грн
100+108.72 грн
250+104.18 грн
500+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R2-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+158.32 грн
100+125.95 грн
500+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R2-40HJNexperiaMOSFETs N-CHANNEL TRENCH STD LEVEL
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.45 грн
10+177.04 грн
100+108.38 грн
500+90.43 грн
1000+83.53 грн
2000+78.01 грн
4000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R2-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.12 грн
10+155.66 грн
25+154.10 грн
50+147.11 грн
100+117.23 грн
250+111.42 грн
500+101.31 грн
1000+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R2-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R2-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+199.63 грн
500+189.00 грн
1000+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.64 грн
500+142.84 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 143700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
500+210.26 грн
1000+198.45 грн
10000+179.97 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+177.25 грн
100+124.48 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.19 грн
10+261.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.12 грн
25+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+163.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+219.96 грн
100+159.81 грн
500+113.13 грн
1000+101.71 грн
2000+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 260 A
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.78 грн
10+190.53 грн
100+116.67 грн
500+98.03 грн
2000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S1R5-40HJNexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S2R0-40HJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7S2R0-40HJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 190A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]